Vishay encapsule ses Mosfet de puissance par paire pour gagner en compacité
Chaque composant des séries SiZF5300DT et SiZF5302DT combine deux Mosfet TrenchFET 30 V canal N de cinquième génération dans un seul et même boîtier CMS miniature de 3,3 x 3,3 mm, pour un gain d’au moins 50% en compacité par rapport aux solutions usuelles.
Avec le lancement des séries SiZF5300DT et SiZF5302DT, Vishay Intertechnology ambitionne de réduire d’au moins 50% l’encombrement des étages de conversion de puissance sur le circuit imprimé dans les équipements informatiques et de télécommunications, tout en simplifiant leur conception et en abaissant le nombre de composants nécessaires.
Pour ce faire, chaque composant des séries SiZF5300DT et SiZF5302DT est constitué de deux Mosfet TrenchFET 30 V canal N de cinquième génération (l’un côté haut et l’autre côté bas) encapsulés dans un seul et même boîtier CMS miniature de type PowerPAIR 3x3FS dont l’encombrement ne dépasse pas 3,3 x 3,3 mm. Résultat : un gain de 50% de l’espace sur le circuit imprimé par rapport à deux Mosfet individuels en boîtier discret PowerPAK 1212, et même jusqu’à 63% si l’on compare aux précédents modèles par paire en boîtier PowerPAIR 6x5F.
Les séries SiZF5300DT et SiZF5302DT diffèrent par les gammes de courant couvertes – en l’occurrence 1 A à 4 A pour la première et 12 A à 15 A pour la seconde – mais tous les composants affichent de faibles valeurs de résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) et de charge de grille (Qg). Pour les composants de la série SiZF5300DT, la Rds(on) s’établit à 2,02 mΩ pour 10 V et 2,93 mΩ pour 4,5 V, en valeurs typiques, alors que pour les SiZF5302DT, il faut tabler sur 2,7 mΩ à 10 V et 4,4 mΩ à 4,5 V. La charge de grille typique présente des valeurs respectives de 9,5 nC et 6,7 nC sous 4,5 V.
Le facteur de forme (qui correspond au produit Rds(on) x Qg) se trouve ainsi réduit de 35% par rapport à celui des modèles de précédente génération. Pour les applications de commutation à haute fréquence, le résultat est une augmentation de 2 points du rendement, pour atteindre 98 % à 100 W.
Vishay précise par ailleurs que la technologie flip-chip utilisée dans la structure de ces transistors de puissance à doubles Mosfet améliore la dissipation thermique des composants, tandis que leur configuration de broches spécifique permet un agencement simplifié des circuits imprimés et prend en charge des boucles de commutation raccourcies pour minimiser l’inductance parasite.
Les séries SiZF5300DT et SiZF5302DT, dont la production est d’ores et déjà effective, s’adressent aux convertisseurs abaisseurs synchrones, à la conversion de point de charge (POL) et aux modules DC/DC dans les ordinateurs portables avec alimentation USB-C, les serveurs, les ventilateurs et les équipements de télécommunication.
