X-Fab lance la seconde génération de son procédé SiC pour les Mosfet de puissance

Cette plateforme permet d’accroître le nombre de puces par tranche et d’améliorer la résistance à l’état passant des Mosfet SiC planaires, le tout sans compromettre la fiabilité de fabrication.

Spécialisé dans la fonderie de semiconducteurs analogiques et mixtes, X-Fab lance XSICM03, la seconde génération de son procédé XboX à base de carbure de silicium (SiC) dédiée à la production de Mosfet de puissance. Selon le fondeur, le nouveau procédé permet d’accroître le nombre de puces par tranche et d’améliorer la résistance à l’état passant des Mosfet SiC, le tout sans compromettre la fiabilité de fabrication.

Plus précisément, avec ses règles de conception robustes, la plateforme XSICM03 permet aux clients de X-Fab de créer des Mosfet planaires SiC avec un pas de cellule inférieur de plus de 25% à celui de la génération précédente, avec pour conséquence une augmentation de 30% du nombre de puces par tranche. S’appuyant sur des blocs de procédé éprouvés, la plateforme garantit une « fiabilité exceptionnelle » des composants SiC, si l’on en croit le fondeur. Par ailleurs, la bibliothèque PCM (Parametric Control monitor) enrichie et l’assistance à la conception améliorée permettent une mise en œuvre rapide par les clients, et donc d’accélérer le développement des produits.

© X-Fab

« Avec son approche rationalisée, notre plateforme de procédé de nouvelle génération répond à la demande croissante de composants SiC haute performance dans les applications automobiles, industrielles et énergétiques. Nous permettons à nos clients de créer des produits optimisés grâce à l’accélération du prototypage et de l’évaluation de la conception, ce qui réduit considérablement le temps de mise sur le marché », avance Rico Tillner, Pdg de l’usine X-Fab au Texas (qui a récemment bénéficié d‘une aide de 50 M$ du gouvernement américain) où est mise en place la plateforme XSICM03. A noter que cette dernière est d’ores et déjà disponible en accès anticipé.

Rappelons que XbloX est la plateforme technologique de X-Fab conçue pour accélérer le développement de Mosfet planaires en SiC. En combinant des modules éprouvés avec des règles de conception, des plans de contrôle et des analyses des modes de défaillance et de leurs effets (FMEA, Failure Mode and Effects Analysis) robustes, XbloX permet d’accélérer le prototypage, de faciliter l’évaluation de la conception et de réduire les délais de mise sur le marché. « Cette approche donne aux clients un avantage concurrentiel, en permettant aux concepteurs de créer un portefeuille de produits diversifié tout en atteignant des délais de production jusqu’à neuf mois plus rapides que les méthodes de développement traditionnelles », indique X-Fab.