140 M€ pour un centre de recherche sur les semiconducteurs à Dresde
Les instituts de recherche allemands Fraunhofer IPMS et Fraunhofer IZM-ASSID unissent leurs compétences pour créer le Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony à Dresde. Le centre de R&D offrira toute la chaîne de valeur de la microélectronique sur tranche de 300 mm.
Avec le regroupement des compétences des instituts Fraunhofer et la fondation du Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony, la Saxe compte ainsi attirer les entreprises de semiconducteurs et les fabricants de systèmes ainsi que les fabricants de matériaux et d’équipements du monde entier.
Avec un volume d’investissement d’environ 140 millions d’euros dans des installations de 4000 m² de salle blanche, le Fraunhofer IPMS occupe une position unique en Allemagne dans le domaine de la recherche appliquée pour la fabrication de circuits Cmos sur tranches de 300 mm. Le Fraunhofer IZM-ASSID complète cette expertise avec des technologies innovantes de packaging et d’intégration de systèmes.
« La Saxe est l’un des principaux sites de microélectronique en Europe. Une puce européenne sur trois est produite en Saxe. Le nouveau centre Fraunhofer pour la recherche sur les semiconducteurs apportera une contribution décisive à l’innovation en Silicon Saxony », se félicite Michael Kretschmer, ministre-président de l’état libre de saxe.
Le Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony est en cours de construction sur l’un des sites de Fraunhofer IPMS à Dresde avec une salle blanche de 4000 m².
