Samsung qualifie une technologie FinFET 10 nm de 2e génération
Samsung Electronics annonce que sa technologie FinFET 10 nm de deuxième génération, 10LPP (Low Power Plus), a été qualifiée et qu’elle est prête pour la production. Grâce aux améliorations apportées à la structure FinFET 3D, le procédé 10LPP offre 10% de performances en plus ou 15% de consommation d’énergie en moins par rapport à la technologie 10LPE (Low Power Early) de première génération à surface égale.
Samsung a été le premier du secteur à lancer la production en volume de semiconducteurs de type SoC (système sur une puce) basés sur le 10LPE en octobre dernier. Les smartphones Samsung Galaxy S8 les plus récents intègrent certains de ces SoC.
Pour répondre aux besoins à long terme en matière de gravure 10 nm d’un large éventail de clients, Samsung a commencé à installer le matériel de production dans sa ligne S3 la plus récente à Hwaseong, en Corée. La ligne S3 devrait être prête pour la production au quatrième trimestre de cette année.
« Avec la réussite de la production du 10LPE, nous avons commencé mettre en production notre process 10LPP, qui va devenir notre principale technologie de gravure pour les applications mobiles, informatiques et réseau haute performance », a déclaré Ryan Lee, vice-président marketing chez Samsung Electronics.
