Samsung déroule sa feuille de route en fonderie jusqu’au 4 nm

Samsung Electronics vient de dévoiler sa feuille de route complète des technologies de fonderie en semiconducteurs, à l’occasion de l’édition annuelle de l’US Samsung Foundry Forum. Outre une technologie FD-SOI 18 nm qui confirme son engagement pour cette technologie française, la feuille de route du Coréen comprend des procédés 8 nm, 7 nm, 6 nm, 5 nm et jusqu’au FinFET 4 nm.

Cette palette de prestations à venir vise à aider ses clients de fonderie à concevoir et à fabriquer des puces plus rapides et plus efficaces en consommation.

« L’omniprésence des machines intelligentes connectées et des appareils grand public sont la preuve qu’une révolution industrielle est proche », a déclaré Jong Shik Yoon, vice-président exécutif de l’activité fonderie chez Samsung Electronics. « Pour rester compétitifs dans l’environnement commercial rapide actuel et pour atteindre leurs buts et objectifs commerciaux, nos clients ont besoin d’un partenaire de fonderie ayant une feuille de route complète aux nœuds technologiques de gravure avancés ».

Au Samsung Foundry Forum, Samsung a notamment révélé les futures technologies de fonderie suivantes :

• 8LPP (8 nm Low Power Plus) : le 8LPP offre les avantages de la réduction d’échelle avant la transition à la lithographie EUV (ultra-violet extrême). Associant des innovations clés des technologies 10 nm, le 8LPP offre des avantages supplémentaires en matière de performances et de densité de grille par rapport au 10LPP.
• 7LPP (7 nm Low Power Plus) : Le 7LPP sera le premier procédé à utiliser une solution de lithographie EUV. Une source EUV de 250 W de puissance maximale représente le jalon le plus important de l’insertion des EUV dans la production en grandes séries, et le fruit des efforts de collaboration de Samsung et ASML. Le déploiement de la lithographie EUV vise à repousser les limites de la loi de Moore et à ouvrir la voie à des générations technologiques de semiconducteurs jusqu’à 1nanomètre.
• 6LPP (6 nm Low Power Plus) : Le 6LPP adoptera les solutions Smart Scaling exclusives de Samsung. Elles seront intégrées sur la technologie 7LPP basée sur EUV, ce qui permettra une plus grande réduction d’échelle et une consommation ultra-faible.
• 5LPP (5 nm Low Power Plus) : Le 5LPP repousse les limites matérielles de la réduction d’échelle de la structure FinFET en mettant en œuvre des innovations technologiques provenant de la prochaine génération de procédé, le 4LPP, pour améliorer la réduction d’échelle et de consommation.
• 4LPP (4 nm Low Power Plus) : Le 4LPP sera la première implémentation de l’architecture de la prochaine génération, la structure MBCFETTM (Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistor). MBCFETTM est la technologie exclusive GAAFET (Gate All Around FET) de Samsung qui utilise une nanofeuille atomique pour surmonter les limites matérielles et de performances de la réduction d’échelle de l’architecture FinFET.
• FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator) : Bien adaptée aux applications de l’Internet des objets, Samsung développera progressivement sa technologie 28FDS dans une offre de plateforme étendue en intégrant les options RF et eMRAM. Le 18FDS est le nœud de la prochaine génération de la feuille de route FD-SOI de Samsung avec des valeurs PPA (Power/Performance/Area) améliorées.

Vers une augmentation des capacités de production de mémoires en Chine

Samsung a également annoncé ce lundi qu’il envisageait d’augmenter ses capacités de production en Chine, rapportent de concert l’AFP et Reuters. Aucune décision n’a toutefois encore été prise concernant le montant de l’investissement et les types de mémoires qui seront produites dans son usine de Xi’an. Samsung a déjà investi 7 milliards dans cette usine chinoise pour y produire des mémoires flash NAND 3D.