Intel et Micron mettent un terme à leur collaboration dans les mémoires flash
Intel et Micron Technology ont annoncé en début de semaine leur décision de mettre un terme à leur collaboration dans le développement des prochaines générations de mémoires flash. Ce pourrait être pour Intel l’occasion de se rapprocher des fabricants chinois qui ne cachent pas leurs velléités de croissance dans ce domaine.
Stockage SSD avec Flash Intel
Partenaires dans les mémoires flash depuis 12 ans au travers de leur société commune IM Flash Technologies, Intel et Micron Technology n’iront pas au-delà de la troisième génération de mémoires flash 3D 96 couches pour leurs développements en commun. Chacun mènera ses propres développements technologiques après cette génération de puces qui doit être commercialisée entre fin 2018 et début 2019. Les deux partenaires en sont actuellement à gérer la montée en production de leur deuxième génération de puces NAND 3D 64 couches. Déjà, en février 2012, Intel avait cédé à Micron ses participations dans deux usines d’IMFT, l’une à Singapour, l’autre en Virginie, aux Etats-Unis, pour un montant de 600 millions de dollars.
Seule entorse à cette stratégie, Intel et Micron continueront de faire route ensemble pour le développement et l’industrialisation de la technologie 3D Xpoint dans leur fab commune de Lehi, dans l’Utah. Dévoilée le 28 juillet 2015, la technologie 3D XPoint est présentée par les deux compères comme la première nouveauté réelle en termes de catégories de mémoire depuis l’invention de la mémoire flash NAND en 1989. Les mémoires 3D Xpoint seraient jusqu’à 1000 fois plus rapides, et offriraient une endurance jusqu’à 1000 fois supérieure par rapport aux falsh NAND, en étant 10 fois plus denses que les mémoires traditionnelles.
Pourquoi alors mettre un terme à leur collaboration ? Selon la presse taïwanaise, Intel aurait décidé de miser sur le marché chinois pour les mémoires flash. Tout d’abord en accélérant la montée en puissance de sa propre usine chinoise de Dalian. En octobre 2015, Intel avait annoncé son plan de convertir cette usine à la fabrication de mémoires non volatiles en technologie NAND 3D. La production initiale devait démarrer dans la seconde moitié de 2016. Intel avait alors l’intention d’investir 5,5 milliards de dollars sur plusieurs années sur le site.
Mais selon DigiTimes, Intel pourrait également monnayer ses licences concernant les flash NAND auprès des fabricants chinois qui ne font pas mystère de vouloir développer rapidement une forte industrie locale dans les mémoires. A suivre.
Reste que Micron et Intel sont des poids moyens dans les mémoires flash. Au troisième trimestre 2017, selon DRAMeXchange, une division de TrendForce, leurs parts de marché respectives étaient de 12,2% et 5,9%, loin derrière Samsung (37,2%), Toshiba (18,1%) et son partenaire Western Digital (16,7%).
