Déjà la troisième génération de Mosfet SiC 650 V pour Toshiba
Destinés aux applications industrielles, les cinq nouveaux modèles commercialisés par la filiale européenne du Japonais voient leur facteur de mérite amélioré de 80%.
Toshiba Electronics Europe commercialise une série de cinq Mosfet de 650 V en carbure de silicium (SiC) appartenant à la nouvelle génération – la troisième – de Mosfet SiC du Japonais, censée optimiser les structures des cellules utilisées dans les composants de deuxième génération à des fins d’amélioration de l’efficacité énergétique et de réduction de l’encombrement des solutions de puissance.
Représentatif des pertes statiques et dynamiques, leur facteur de mérite (FoM) – qui est égal au produit de la résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) par la charge grille-drain (Qg) – a ainsi été amélioré d’environ 80%. De quoi permettre de développer des solutions d’alimentation avec des densités de puissance plus élevées et des coûts d’exploitation plus faibles.
Comme les dispositifs précédents, ces composants disposent d’une barrière Schottky SiC intégrée à faible tension directe (Vf) de -1,35 V (valeur typique), qui supprime les fluctuations de Rds(on) et renforce ainsi la fiabilité.
Tous logés en boîtier standard industriel TO-247, les cinq modèles référencés TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C et TW107N65C supportent des courants de drain respectifs de 100 A, 58 A, 40 A, 30 A et 20 A et affichent des valeurs maximales de Rds(on) de 21 mΩ (la valeur de Rds(on) peut descendre à 15 mΩ dans ce cas), 37 mΩ, 65 mΩ, 113 mΩ et 145 mΩ.
Résolument à vocation industrielle, ces composants ciblent les alimentations à découpage et les alimentations sans interruption (UPS) dédiées aux serveurs, centres de données, et autres équipements de communication, mais également les onduleurs photovoltaïques et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels tels que ceux servant à la recharge de véhicules électriques.
