Cree investit 1 milliard de dollars dans la filière SiC
L’Américain Cree annonce un investissement jusqu’à un milliard de dollars dans l’accroissement de ses capacités de production pour la fourniture matériaux et de tranches de SiC de 200 mm de diamètre. Par rapport au 1er trimestre 2017, sa capacité de production dans la filière SiC sera multipliée par 30 à l’horizon 2024.
Rappelons que Cree a signé des contrats pluriannuels de fourniture de tranches de SiC à STMicroelectronics et Infineon.
Cree va ainsi construire aux Etats-Unis une unité de fabrication de tranches de carbure de silicium de 200 mm de diamètre et une usine de matériaux située au siège de son campus américain à Durham. Il s’agit du plus important investissement jamais réalisé par la société dans les domaines du carbure de silicium de sa filiale Wolfspeed. Une fois achevées en 2024, les installations augmenteront considérablement la capacité de la société en matériaux de carbure de silicium et en fabrication de tranches SiC, pour la réalisation de circuits Sic à destination des marchés de l’automobile, des infrastructures de communication et de l’industrie.
« Les secteurs de l’automobile et des infrastructures de communication continuent de susciter un vif intérêt pour tirer parti des avantages du carbure de silicium afin de stimuler l’innovation. Cependant, la demande de carbure de silicium a longtemps dépassé l’offre disponible. Aujourd’hui, nous annonçons notre plus important investissement dans la production pour augmenter considérablement cette offre et aider les clients à proposer des produits et des services qui transformeront le marché », a déclaré Gregg Lowe, CEO de Cree.
Cree a récemment annoncé la signature d’un accord définitif avec Ideal Industries portant sur la vente de son activité produits d’éclairage («Cree Lighting»), qui comprend les activités d’éclairage à LED, de lampes et de solutions d’éclairage d’entreprise, pour un montant d’environ 310 millions de dollars. L’accord s’inscrit dans la stratégie de Cree, annoncée en février 2018, visant à créer une société de semiconducteurs plus ciblée centrée sur les circuits de puissance et RF, via sa filiale Wolfspeed, spécialisée dans les technologies SiC et GaN (voir la présentation).
