Densité de puissance record pour un convertisseur GaN d’EPC
Capable de délivrer une puissance maximale de 1 kW (85 A sous 12 V) dans un encombrement réduit, le convertisseur LLC 48 V/12 V référencé EPC9159 affiche une densité de puissance record supérieure à 300 W/cm³.
Dans la course à la densité de puissance, les semiconducteurs à grand gap tirent profit de leurs caractéristiques intrinsèques pour atteindre des valeurs particulièrement élevées. A l’image du dernier convertisseur LLC 48 V/12 V à base de GaN du Californien EPC (Efficient Power Conversion). Référencé EPC9159, le convertisseur en question est ainsi capable de délivrer jusqu’à 1 kW (83 A sous 12 V) dans un encombrement très compact, notamment une empreinte de seulement 17,5 x 22,8 mm. EPC évoque une densité de puissance de 5130 W par pouce au cube, soit environ 313 W/cm³, ce qui constituerait un record, selon EPC, obtenu grâce au fonctionnement à haute fréquence de commutation (1,6 MHz).
© EPC
Conçu pour l’alimentation des serveurs 48 V haute densité dans les applications de jeux vidéo et d’intelligence artificielle, l’EPC9159 dispose d’une topologie LLC qui comprend un pont complet côté primaire, un transformateur planaire à rapport fixe et un redresseur synchrone pour le côté secondaire. Le pont complet primaire utilise quatre transistors GaN 80 V 3,3 mΩ d’EPC, tandis que le secondaire regroupe six de ses transistors GaN 40 V 1,3 mΩ.
Le convertisseur affiche un rendement maximal de 98 % à 25 A et de 96,2 % à pleine charge (83 A sous 12 V).
« L’EPC9159 permet de répondre aux besoins croissants en énergie de l’intelligence artificielle et de prendre en charge la transition vers une entrée 48 V pour les nouveaux serveurs haute densité et haute efficacité requis pour ces applications informatiques avancées », souligne Alex Lidow, Pdg d’EPC.
Une carte d’évaluation référencée EPC9159KIT est disponible pour livraison immédiate au prix de 787,80 dollars l’unité auprès de DigiKey Electronics.
