EPC double la densité de puissance de ses transistors GaN 80 V

L’Américain a réservé à Electronica la primeur du lancement de sa 6è génération de FET de sa gamme eGaN, avec un premier modèle de 80 V dont la densité de puissance est doublée par rapport à celle de son prédécesseur.

Présent à Electronica, la société américaine EPC (Efficient Power Conversion) a levé le voile sur sa sixième génération de transistors FET en nitrure de gallium qu’il rassemble sous l’appellation eGaN. Et c’est l’EPC2619, un modèle de 80 V avec une résistance drain-source à l’état passant Rds(on) de seulement 4 mΩ, qui inaugure cette génération 6.

Comparé à ses modèles de précédente génération (notamment l’EPC2218), EPC avance un gain d’un facteur deux en termes de densité de puissance grâce à un encombrement particulièrement compact de 1,5 x 2,5 mm. Le produit Rds(on) x surface sur le PCB est ici réduit à seulement 15 mΩ.mm2, soit une valeur divisée par cinq par rapport à celle des FET équivalents en silicium.

Pour sa part, le produit Rds(on) x Qgd, qui traduit les pertes de puissance dans les applications en mode “hard-switching”, s’avère dix fois meilleur que celui des Mosfet 80 V, ce qui autorise des fréquences de commutation décuplées, sans rogner sur le rendement. De quoi rendre l’EPC2619 adapté aux applications 24 V – 48 V du type convertisseurs abaisseurs (buck), abaisseurs-élévateurs (buck-boost) et élévateurs (boost) de tension.

Quant au produit Rds(on) x Qoss, représentatif des pertes de puissance dans les commutations en mode “soft-switching”, il est de 87 mΩ.nC, soit deux fois meilleur que celui des Mosfet équivalents.

C’est cet ensemble de performances qui fait dire à Alex Lidow, pdg et co-fondateur d’EPC, qu’avec le lancement de l’EPC2619, « EPC continue de maintenir les performances des composants GaN de puissance sur une voie qui rappelle la loi de Moore. »

Ce transistor cible une large gamme d’applications d’entraînement de moteurs. Citons, par exemple, la conversion 28 V-48 V pour les vélos et les scooters électriques, l’outillage électrique, les convertisseurs DC-DC haute densité, les onduleurs pour le solaire, le redressement synchrone 12 V-20 V pour chargeurs, adaptateurs et alimentations TV, etc.

Le lancement de l’EPC2619 s’accompagne d’une carte d’évaluation compacte (50,8 x 50,8 mm), référencée EPC90153, fournissant un courant de sortie maximal de 30 A. Elle est disponible moyennant 200 dollars pièce. L’EPC2619, lui, est affiché à 1,90 dollar l’unité par quantité de 2500.

A noter que EPC propose à ses clients le GaN Power Bench, un outil de références croisées qui permet aux concepteurs qui souhaitent remplacer leurs FET silicium, de trouver leurs équivalents en GaN, en fonction de leurs applications.