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Globalfoundries lance la première plateforme technologique FD-SOI en 22 nm

Globalfoundries lance la première plateforme technologique FD-SOI en 22 nm

Le 13 juillet, Globalfoundries a lancé sa plateforme technologique 22FDX pour la réalisation de semiconducteurs en technologie FD-SOI 22 nm. Selon le fondeur, la plateforme 22FDX délivre des performances comparables à la technologie FinFET avec une consommation énergétique réduite et des coûts de production comparables à la technologie 28 nm planaire. Le fondeur crédibilise ainsi la filière FD-SOI développée en France autour de STMicroelectronics, Soitec et du CEA-Léti.

Glofo-090815Avec sa technologie FD-SOI 22 nm, Globalfoundries vise les marchés des circuits basse consommation pour le mobile, l’Internet des objets, la connectivité RF et les réseaux. La plateforme 22FDX permettrait une taille de circuit inférieure de 20% par rapport à la technologie 28 nm, tout en étant beaucoup moins compliquée à mettre en œuvre que la technologie FinFET.

La technologie 22FDX sera mise en place dans l’unité de production sur tranches de 300 mm de diamètre de Globalfoundries à Dresde. Le fondeur y a investi 250 millions de dollars pour le développement de la technologie FDX et l’établissement d’une capacité de production initiale. Plus de 5 milliards de dollars ont déjà investis à Dresde depuis 2009 et le fondeur se déclare prêt à faire des investissements supplémentaires en fonction de la demande de ses clients.

L’écosystème mondial FD-SOI se met ainsi en place avec l’arrivée de grandes fonderies de semiconducteurs. Déjà, en mai 2014, Samsung avait annoncé la signature d’un accord global avec STMicroelectronics portant sur la technologie FD-SOI en 28 nm en vue d’une production en collaboration multi-source. L’écosystème peut désormais compter sur le soutien de l’industrie notamment celui de grandes fonderies, d’acteurs fabless ayant adopté cette technologie, de fournisseurs de services IP, de fournisseurs d’équipements et d’outils de CAO électronique.

Les technologies FD-SOI s’appuient sur des substrats ultra-minces fabriqués à l’aide du procédé Smart Cut de Soitec. La fabrication de substrats FD-SOI 300 mm de Soitec va pouvoir monter en puissance et répondre aux prévisions de l’industrie. Des volumes supplémentaires de tranches identiques seront également proposés par la société japonaise Shin-Etsu Handotai, leader mondial de substrats de silicium et détenteur d’une licence Smart Cut. Les deux fournisseurs de substrats seraient prêts à renforcer leurs capacités en fonction des besoins.

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