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Intel et Micron créent une technologie de mémoire1000 fois plus rapide que les flash NAND

Intel et Micron créent une technologie de mémoire1000 fois plus rapide que les flash NAND

Intel et Micron Technology ont dévoilé le 28 juillet la technologie 3D XPoint qui, à leurs yeux, constitue la première nouveauté réelle en termes de catégories de mémoire depuis l’invention de la mémoire flash NAND en 1989. Actuellement en production, cette nouvelle catégorie de mémoires non-volatiles aurait le potentiel pour révolutionner les équipements, applications ou services qui nécessitent un accès rapide à de grandes quantités de données, assurent les deux partenaires. La technologie est jusqu’à 1000 fois plus rapide, et offre une endurance jusqu’à 1000 fois supérieure par rapport au NAND, et est 10 fois plus dense que les mémoires traditionnelles.

intel-190815La technologie 3D XPoint propose des vitesses jusqu’à 1000 fois supérieures à celles de la technologie de mémoire non-volatile NAND, la plus courante sur le marché actuel. Les deux entreprises ont inventé des matériaux uniques et une architecture croisée inédite pour produire une technologie de mémoire 10 fois plus dense que les mémoires traditionnelles. Cette nouvelle technologie va permettre de nouvelles innovations dans des applications qui vont de l’apprentissage automatique au suivi médical en temps réel ou aux jeux 8K immersifs.

L’explosion du nombre d’équipements connectés et de services numériques ces dernières années a généré des quantités massives de nouvelles données. Pour exploiter ces données, celles-ci doivent être stockées et analysées très rapidement ; un défi majeur pour les fournisseurs d’accès et les concepteurs de systèmes, qui doivent pouvoir équilibrer les coûts, la puissance et la performance lorsqu’ils conçoivent leurs solutions de mémoire et de stockage. La technologie 3D XPoint combinerait la performance, la densité, la puissance, la non-volatilité et les coûts avantageux des diverses technologies disponibles sur le marché actuel.

Cette architecture innovante, dénuée de tout transistor, crée une structure tridimensionnelle où les cellules de mémoires sont à l’intersection de la « world lines » (WL) et de la « bit lines » (BL), permettant un accès individuel aux cellules. Les données peuvent donc être écrites et lues en petites quantités, ce qui entraîne des processus de lecture/écriture plus efficaces et plus rapides.

Parmi les informations principales sur la technologie 3D XPoint, citons :

  • La structure en points de croisement – Les conducteurs perpendiculaires connectent 128 milliards de cellules de mémoire denses. Chaque cellule de mémoire stocke un seul bit de données. Cette structure compacte permet une haute performance et une haute densité de bits.
  • L’empilement – En plus de bénéficier d’une structure croisée très dense, les cellules de mémoire sont empilées en couches multiples. La technologie initiale stocke 128 Go par die sur deux couches de mémoire. Les futures générations de cette technologie pourront augmenter le nombre de couches de mémoire, en plus de l’échelonnage lithographique traditionnel de l’écartement, augmentant ainsi les capacités du système.
  • Le sélecteur – L’accès, l’écriture et la lecture des cellules de mémoire se fait par la variation du voltage envoyé à chaque sélecteur, ce qui élimine la nécessité de transistors, augmentant la capacité tout en réduisant les coûts.
  • Les cellules à commutation rapide – Grâce à la petite taille des cellules, au sélecteur à commutation rapide, à la structure croisée à basse latence, et à l’algorithme d’écriture rapide, la cellule est capable de commuter bien plus rapidement que n’importe quelle autre technologie de mémoire non-volatile disponible aujourd’hui sur le marché.

Des échantillons de la technologie 3D XPoint seront disponibles cette année. Intel et Micron développent actuellement des produits individuels basés sur cette technologie.

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