Infineon démarre la production de circuits de puissance sur tranches de 300 mm
Le fabricant de semiconducteurs allemand Infineon Technologies lance la production de composants de puissance pour l’automobile sur tranches amincies de 300 mm de diamètre amincies. Infineon revendique cette première mondiale qui lui donne un avantage concurrentiel. Ces MOSFET sont produits à Villach, en Autiche.
Par rapport aux tranches de 200 mm de diamètre, une production sur tranches de 300 mm permet de 2,5 fois plus de circuits sur la même tranche (50% plus large qu’une tranche 200 mm). Le 300 mm était réservé aux circuits numériques, avant que Texas Instruments n’annonce l’ouverture en septembre 2009, à Richardson au Texas, de la première unité de production au monde de circuits analogiques fabriqués à partir de tranches de silicium de 300 mm de diamètre. La production de volume a démarré à la fin de 2010.
De son côté, Infineon fait appel à une technologie de production sur tranches de 300 mm amincies. L’épaisseur de la tranche ne dépasse pas 60 µm permettant de minimiser les pertes de puissance et d’accroître la densité de puissance des MOSFETs. Comparé à la génération précédente, la famille de circuits commerciaux OptiMOS 5 40V présente une réduction de 40% de sa la résistance à l’état passant (RDS(ON)).
En juin 2014, Infineon avait annoncé un programme d’investissement baptisé “Pilot Space Industry 4.0” dans son centre industriel de Villach, en Autriche. L’investissement de 290 M$ concernait à la fois la R&D et les technologies de production de semiconducteurs de prochaines générations.
