MOSFET 30V et 60V à rendement élevé et refroidissement double-face
Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d’étendre sa famille de MOSFET basse-tension à rendement ultra-élevé avec l’ajout de nouveaux dispositifs 30V et 60V à l’offre 40V existante de la société. Tous les dispositifs seront disponibles en boîtiers compacts et optimisés thermiquement, DSOP Advance, qui améliorent sensiblement la dissipation thermique grâce au refroidissement double face.
Comprenant un dispositif 30V et un dispositif 60V, ces nouveaux MOSFET canal-N sont basés sur le processeur semiconducteur à tranchée U-MOS IX-H. Ce processus est conçu pour offrir un rendement élevé sur un large éventail de charges en abaissant la résistance à l’état passant (RDS(ON)), et en améliorant le rendement de commutation grâce à une réduction de la charge en sortie (QOSS).
Ces MOSFET aideront les concepteurs à réduire les pertes et la place occupée sur la carte dans le cas de plusieurs circuits de gestion d’énergie, notamment les circuits de commutation côté haut et côté bas en conversion DC-DC, ou les circuits de redressement synchrone au secondaire de projets AC-DC. Ces technologies sont également idéales pour les commandes moteur et les circuits de protection des équipements alimentés par batteries Lithium ion (Li-ion).
A une tension (VGS) de10V, la valeur de RDS(ON) maximum pour le MOSFET 30V est de seulement 0,6 mΩ, tandis que la valeur COSS typique est de 2160 pF. Le dispositif 60V offre des valeurs RDS(ON) et COSS typique de : 1.3 mΩ et 960 pF. Ceci assure davantage de souplesse pour optimiser les performances d’une application donnée.
Les deux nouveaux MOSFET UMOS IX-H sont disponibles en boîtier bas-profil pour montage en surface DSOP Advance. Tous deux présentent une empreinte sur carte de seulement 5 x 6 mm. Tous ces MOSFET fonctionnent avec des températures de canal jusqu’à 175°C.
Fournisseur : Toshiba
Référence : MOSFET UMOS IX-H
