Infineon loge ses Mosfet CoolSiC 1200 V dans des boîtiers refroidis par le haut
Le fabricant allemand décline désormais ses Mosfet CoolSiC 1200 V en boîtier Q-DPAK refroidi par le haut pour des performances thermiques et une densité de puissance optimisées et adaptées aux applications industrielles exigeantes.
Infineon Technologies a récemment décliné les Mosfet 1200 V en carbure de silicium de sa gamme CoolSiC dans des versions logées en boîtier CMS refroidi par le haut de type Q-DPAK. Equipés de ce type de boîtier, ces composants sont censés fournir des performances thermiques et une densité de puissance optimisées et adaptées aux applications industrielles exigeantes, requérant notamment une fiabilité élevée, telles que les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption, les variateurs de vitesse et les disjoncteurs statiques.
Les Mosfet CoolSiC 1200 V G2 présentent en effet des améliorations significatives par rapport à la génération précédente (G1), comme une réduction jusqu’à 25% des pertes de commutation à Rds(on) équivalentes, une résistance thermique réduite de plus de 15% et une température abaissée de 11%.
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Parmi leurs autres caractéristiques, on notera des valeurs de Rds(on) comprises entre 4 mΩ et 78 mΩ, une température de jonction maximale de 200°C, ainsi qu’une grande robustesse contre les démarrages parasites, garantissant ainsi un fonctionnement fiable dans des conditions dynamiques. Tous les modèles présentent une hauteur de boîtier de seulement 2,3 mm.
Le boîtier Q-DPAK améliore les performances thermiques du composant en permettant une dissipation directe de la chaleur de la surface supérieure du composant vers le dissipateur thermique. Ce chemin thermique direct offre une efficacité de transfert thermique nettement supérieure à celle des boîtiers traditionnels refroidis par le bas, permettant ainsi des conceptions plus compactes. De plus, la conception du boîtier Q-DPAK minimise l’inductance parasite, essentielle pour des vitesses de commutation plus élevées.
