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Innoscience abaisse encore la résistance de ses transistors GaN 650 V

Innoscience abaisse encore la résistance de ses transistors GaN 650 V

Le Chinois lance l’INN650D080BS, le transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium de 650 V affichant la résistance drain-source à l’état passant la plus faible de son catalogue, avec 80 mΩ.

Spécialiste des solutions de puissance exploitant une technologie de nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), Innoscience Technology complète sa gamme de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) de 650 V avec un modèle référencé INN650D080BS dont la résistance drain-source à l’état passant Rds(on) est la plus faible de son catalogue, avec une valeur maximale de 80 mΩ (60 mΩ en valeur typique).

Logé dans un boîtier DFN standard de 8 x 8 mm, ce transistor qui vise les applications de puissance telles que les architectures LLC ou les chargeurs de batterie rapides, vient ainsi enrichir la gamme InnoGaN de transistors HEMT 650 V du Chinois qui comprenait déjà des déclinaisons avec Rds(on) de 140, 190, 240, 350, 500 et 600 mΩ. « Nous sommes désormais capables de répondre aux besoins des applications de conversion de puissance à haute densité et à haut rendement », se réjouit Yi Sun, vice-président du développement produits chez Innoscience.

Homologué JEDEC pour la puce et le boîtier, ce composant a également passé le test de fiabilité DHTOL (Dynamic High Temperature Operating Life) conformément à la norme JEP180 – qui est la nouvelle directive JEDEC relative à la technologie GaN – et a subi des tests de durée de vie accélérée jusqu’à 1000 V, qui ont permis de calculer une durée de vie de 36 ans à 80% de la tension nominale (520 V, 150°C, avec un taux de défaillance de 0,01%).

Cet HEMT à faible Rds(on) présente également des caractéristiques intéressantes en termes de tension drain-source transitoire et pulsée avec des valeurs respectives de 800 V et 750 V. A l’instar des autres modèles de la gamme, l’INN650D080BS intègre un circuit de protection contre les décharges électrostatiques, à ceci près qu’il a ici été modifié pour permettre une plus grande excursion de la tension négative de grille, jusqu’à -6 V.

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