Sélectionner une page

Kioxia booste ses mémoires flash 3D avec sa technologie à 4 bits par cellule

Kioxia booste ses mémoires flash 3D avec sa technologie à 4 bits par cellule

Le Japonais a dévoilé une mémoire flash dite UFS (Universal Flash Storage) Ver. 3.1 de 512 Go exploitant son architecture QLC (quad-level-cell) à 4 bits par cellule pour améliorer performnces et densité de stockage.

Kioxia, entreprise qui regroupe l’ancienne activité de Toshiba en mémoires et disques SSD, vient de débuter l’échantillonnage de mémoires flash dites UFS (Universal Flash Storage) Ver. 3.1 exploitant l’architecture QLC (quad-level-cell) à 4 bits par cellule du Japonais qui offre de grandes capacités et densités de stockage et des performances améliorées en termes de lecture et d’écriture.

Plus précisément, la preuve de concept dévoilée par Kioxia est un prototype disponible en version à 256 Go ou 512 Go qui exploite la mémoire flash 3D dite BiCs de 1 Tbit (128 Go) à 4 bits par cellule du Japonais. Elle s’adresse aux équipements mobiles haut de gamme utilisant les réseaux 5G et les vidéos 4K, gourmands en densité et capacité de stockage et en performances d’écriture et de lecture.

Rappelons ici que l’Universal Flash Storage (UFS) désigne une catégorie de produits correspondant à une classe de mémoires embarquées conformes à la norme JEDEC UFS. UFS a recours à une interface série offrant l’avantage d’une communication duplex simultanée avec le dispositif hôte pour la lecture et l’écriture.

Des échantillons de ces mémoires flash UFS Ver. 3.1 exploitant l’architecture QLC de Kioxia sont pour le moment mis à disposition d’une poignée d’équipementiers privilégiés.

INSCRIPTION NEWSLETTER

DECOUVREZ VIPRESS MESURE

REJOIGNEZ-NOUS

Newsletters par date

décembre 2022
L M M J V S D
 1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031  

ALLEZ A L'ESSENTIEL !

Recevez notre newsletter par email  

You have Successfully Subscribed!

Pin It on Pinterest

Share This