Le fondeur VIS va exploiter la technologie GaN de TSMC
L’accord de licence technologique entre les deux fondeurs taïwanais porte sur l’exploitation par Vanguard International Semiconductor de la technologie de nitrure de gallium 650 V et 80 V du numéro un mondial de la fonderie.
Le groupe taïwanais Vanguard International Semiconductor (VIS), qui figure régulièrement dans le Top 10 mondiaux des fondeurs de semiconducteurs, a annoncé hier la signature d’un accord de licence technologique avec TSMC portant sur l’exploitation par VIS de la technologie de nitrure de gallium (GaN) 650 V et 80 V du numéro un mondial de la fonderie. Un accord similaire avait récemment été signé entre GlobalFoundries et TSMC.
Cet accord permettra à VIS d’accélérer le développement et le déploiement de technologies de puissance de nouvelle génération à base GaN pour des applications telles que les centres de données, le véhicule électrique, le contrôle industriel et la gestion de l’énergie, qui exigent toutes une conversion de puissance à haut rendement.
© Vanguard International Semiconductor (VIS)
VIS étendra sa technologie GaN sur silicium aux applications haute tension et proposera une plateforme GaN sur silicium complète pour les applications de puissance. Combinée à sa propre plateforme technologique GaN-on-QST, l’exploitation de la licence de TSMC permettra à VIS de devenir la seule fonderie au monde capable de proposer des technologies GaN de puissance sur substrats silicium et QST. Ce faisant, VIS affirme qu’il sera capable de proposer des solutions GaN complètes couvrant la basse et moyenne tension (moins de 200 V), la haute tension (650 V) et l’ultra-haute tension (1200 V).
Précisons ici que le procédé GaN-on-QST de VIS exploite les substrats QST de l’entreprise californienne Qromis (d’où l’acronyme QST, Qromis Substrate Technology) qui, comparativement aux substrats en silicium, présentent un coefficient de dilatation thermique mieux adapté aux couches épitaxiales GaN.
En ce qui concerne la technologie GaN de TSMC, elle sera validée sur les lignes de production 200 mm de VIS, dont la fiabilité est éprouvée, afin de garantir la stabilité du procédé et un rendement élevé. Les activités de développement devraient débuter dans les prochaines semaines, tandis que la production de volume est programmée pour le premier semestre 2028.
« Cet accord de licence technologique souligne non seulement l’engagement et la collaboration continue entre VIS et TSMC, mais témoigne également de notre volonté constante de développer une gamme complète de produits GaN de puissance et de renforcer notre position stratégique dans le domaine des semiconducteurs composés », souligne John Wei, président de VIS.
Créé en 1994 sur le Parc scientifique de Hsinchu, à Taïwan, VIS possède cinq usines de wafers de 200 mm à Taïwan et à Singapour, qui cumulent aujourd’hui une capacité de production mensuelle d’environ 286 000 wafers. La société emploie plus de 7000 personnes.
