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Le procédé BCD-on-SOI de X-Fab passe au 110 nm à Corbeil-Essonnes

Le procédé BCD-on-SOI de X-Fab passe au 110 nm à Corbeil-Essonnes

Le site francilien du fondeur mettra en application, dès le second semestre 2023, le passage au 110 nm du procédé BCD-on-SOI qui entend répondre aux besoins croissants d’une plus grande intégration numérique et de capacités de traitement dans les applications analogiques, en particulier dans les débouchés automobiles de nouvelle génération.

Après avoir développé il y a deux ans un procédé de fonderie dit BCD-on-SOI en 180 nm (plateforme XT018), X-Fab Silicon Foundries SE annonce aujourd’hui avoir mis au point son équivalent en nœud de gravure 110 nm. Baptisé XT011, ce procédé annoncé comme inédit dans l’industrie, sera mis en application dès le second semestre 2023 dans l’usine de Corbeil-Essonnes du fondeur de circuits analogiques et mixtes. Il reflète, selon X-Fab, le besoin croissant d’une plus grande intégration numérique et de capacités de traitement dans les applications analogiques, en particulier dans les débouchés automobiles de nouvelle génération, sa principale cible. Les marchés industriels et de la santé sont également visés.

© X-Fab

Comparée au procédé BCD conventionnel qui associe transistors bipolaires, Cmos et Dmos (Bipolar Cmos-Dmos), la technologie BCD-on-SOI rassemble les bienfaits combinés du SOI (Silicon-on-Insulator) et de la technologie DTI (Deep Trench Isolation) d’isolation en tranchée profonde, de sorte que la logique numérique haute densité et la fonctionnalité analogique puissent être plus facilement intégrées dans une seule puce.

En passant à un nœud inférieur en 110 nm, le procédé XT011 de X-Fab fournit le double de la densité de cellules standard de sa plate-forme XT018 en 180 nm et permet aux implémentations flash embarquées Sonos (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) d’occuper un encombrement réduit de 35 %. Les performances des dispositifs canal N haute tension à faible résistance à l’état passant (R(ds)on) constituent une autre propriété importante du nouveau procédé avec une amélioration de plus de 25 % par rapport à la technologie XT018. X-Fab indique par ailleurs que les performances thermiques ont également été grandement améliorées afin de mieux traiter les applications à courant élevé.

Convenant à la production de circuits conformes à la norme automobile AEC-Q100 Grade 0, la technologie BCD-on-SOI est qualifiée de très robuste par le fondeur, en particulier grâce à une plage de température de fonctionnement couverte de -40°C à +175°C et à des niveaux élevés de résistance aux perturbations électromagnétiques. Qui plus est, en l’absence d’effets bipolaires parasites, le risque d’un phénomène de blocage (latch-up) peut être éliminé, avec à la clé un haut niveau de fiabilité opérationnelle.

« X-Fab est déjà largement connu comme le fondeur de référence pour la technologie BCD-on-SOI, et être le premier à passer au nœud 110 nm met encore plus en évidence notre expertise inégalée dans ce domaine, souligne Joerg Doblaski, directeur technique de X-Fab . Grâce à ce procédé de qualité automobile de nouvelle génération, nous fournissons à nos clients la base dont ils ont besoin pour produire des produits analogiques intelligents plus sophistiqués et hautement intégrés. »

Un kit de conception de procédé complet fourni par X-Fab pour la technologie XT011, ainsi qu’un large éventail de blocs IP, tels que Sram, Rom, flash basée sur Sonos et Eeprom embarquée, sont d’ores et déjà disponibles.

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