Sélectionner une page

Les transistors GaN de Rohm intègrent leur pilote de grille dédié

Les transistors GaN de Rohm intègrent leur pilote de grille dédié

Le Japonais étoffe sa gamme de transistors HEMT 650 V EcoGaN avec des modèles intégrant sur la même puce leur pilote de grille dédié ainsi que diverses fonctionnalités. De quoi simplifier l’utilisation des transistors GaN et favoriser leur adoption dans les applications grand public et professionnelles.

S’il est connu que les composants de puissance en GaN – tels que des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) – contribuent de manière significative à une miniaturisation plus poussée et à un meilleur rendement des solutions de conversion d’énergie, ce qui l’est un peu moins, c’est que, contrairement aux solutions standard en silicium, ils nécessitent l’emploi d’une commande spécifique, liée à leur commutations haute fréquence, afin d’en extraire la performance optimale, ce qui peut compliquer la tâche des concepteurs d’étages de puissance.

Conscient de ce frein potentiel à l’adoption et au déploiement des solutions à base de GaN, Rohm avait commercialisé en mars dernier un pilote de grille spécifique, dédié à la commande de ses composants GaN. Aujourd’hui, le Japonais va plus loin avec la commercialisation des BM3G0xxMUV-L, des circuits de puissance intégrant dans un seul et même boîtier de seulement 8 x 8 x 1 mm, un transistor HEMT 650 V en GaN, son pilote de grille dédié, et diverses fonctionnalités supplémentaires (contrôle EMI, LDO, protection thermique, protection de l’alimentation, etc.), facilitant ainsi considérablement le montage.

© Rohm

Venant compléter sa gamme EcoGaN de transistors HEMT en GaN lancée en mai dernier et développée avec Ancora Semiconductors, une filiale de Delta Electronics, ces HEMT 650 V à pilote de grille intégré disposent d’une large plage de tension de commande (2,5 V à 30 V) pour une compatibilité avec pratiquement tous les circuits de commande dans les alimentations, ce qui facilite le remplacement des Mosfet silicium existants.

De part leurs caractéristiques et leur haut niveau d’intégration, les BM3G0xxMUV-L affichent, selon Rohm, des pertes totales (conduction+commutation) réduites de 55% par rapport à leurs équivalents en silicium, tout en abaissant leur encombrement de 99% grâce, notamment, à l’absence de dissipateur thermique.

Parmi les autres caractéristiques de ces composants optimisés pour de nombreux équipements grand public (électroménager, adaptateurs AC, PC, téléviseurs, réfrigérateurs, climatiseurs, etc.) ou professionnels (serveurs, équipements bureautiques, etc.), on notera également une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) de 70 mΩ (modèle BM3G007MUV-LB) ou de 150 mΩ (modèle BM3G015MUV-LB) en valeur typique et une plage de température de fonctionnement s’échelonnant de -40°C à +105°C.

INSCRIPTION NEWSLETTER

DECOUVREZ VIPRESS MESURE

REJOIGNEZ-NOUS

Newsletters par date

octobre 2023
L M M J V S D
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031  

ALLEZ A L'ESSENTIEL !

Recevez notre newsletter par email  

You have Successfully Subscribed!

Pin It on Pinterest

Share This