Matrices de transistors FET DMOS avec un courant de puits de 1,5 A

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient de lancer une nouvelle génération de matrices de transistors à haut rendement. Elles disposent de drivers FET DMOS à sortie puits et sont les premières du marché avec un courant de puits en sortie de 1,5 A, affirme le fabricant japonais.

Ces deux nouvelles séries TBD62064A et TBD62308A succèdent aux matrices de transistors bipolaires TD62064A et TD62308A, qui étaient utilisées dans des applications comme les commandes de moteurs, de relais et de DEL. Elles existent avec les mêmes boîtiers et les mêmes brochages, et offrent la même fonctionnalité que les anciens TD62xxxA, tout en réduisant les pertes de puissance d’environ 38%.

Cette réduction des pertes de puissance ne pouvait être obtenue qu’avec des drivers à sortie FET DMOS, car ceux-ci n’ont pas besoin de courant de base, peuvent recevoir une densité de courant élevée par unité de surface, et présentent par conséquent une résistance à l’état passant faible, tout en assurant un rendement élevé.

Ces nouvelles séries sont dotées de quatre canaux de sortie 50V/1,5A nominal, ce qui les rend aptes à piloter des moteurs pas-à-pas unipolaires à tension constante. Elles sont produites grâce au tout dernier processus BiCD 130 nm, et sont disponibles en boîtiers HSOP16, DIP16 ou SSOP24.

Fabricant : Toshiba

Référence : TBD62064A et TBD62308A