Mémoires SO-DIMM DDR4 de 32 Go en classe 10 nm | Samsung
Samsung Electronics annonce le lancement de la production en grande série de la première mémoire Dram DDR4 de 32 Go au format SO-DIMM, destinée notamment aux ordinateurs portables de jeux. Les nouvelles SO-DIMM sont basées sur une technologie de gravure de classe 10 nm (*).
Grâce à cette nouvelle solution mémoire, les fabricants de PC peuvent créer des ordinateurs portables de jeux haut de gamme, plus rapides et plus autonomes. Ils offrent également des capacités supérieures aux stations de travail mobiles conventionnelles, tout en conservant les configurations PC existantes.
Le nouveau module de 32 Go double la capacité de la SO-DIMM de 16 Go de Samsung basée sur DDR4 de 8 Gbits classe 20 nm (qui a été lancée en 2014) tout en étant 11% plus rapide et environ 39% plus économe en énergie.
Incorporant 16 des nouvelles puces DRAM DDR4 de 16 Gbits de Samsung (huit puces montées respectivement à l’avant et à l’arrière), la SO-DIMM de 32 Go permet aux ordinateurs portables de jeux d’atteindre des vitesses de 2666 Mb/s (mégabits par seconde).
Un ordinateur portable de 64 Go configuré avec deux modules DDR4 de 32 Go consomme moins de 4,6 W (watts) en mode actif et moins de 1,4 W en veille. Cela représente respectivement une réduction de la consommation d’énergie d’environ 39% et de plus de 25% par rapport aux principaux ordinateurs portables de jeux équipés de modules de 16 Go.
Samsung a commencé à élargir activement sa gamme DRAM classe 10 nm, la plus étendue du marché (LPDDR4 16 Gbits, GDDR5 16 Gbits et DDR4 16 Gbits). Elle marquera le début d’une nouvelle ère pour les DRAM 16 Gbits dans les segments mobile, graphique, PC et serveur, puis sur d’autres marchés comme les superordinateurs et les systèmes automobiles.
(*) La classe 10 nm signifie un nœud de gravure compris entre 10 et 19 nm.
