Microchip lance un simulateur pour tester ses solutions de puissance en SiC
Gratuit, le simulateur de puissance SiC MPLAB permet de tester les solutions de puissance en carbure de silicium de Microchip dans différentes topologies de commutation de puissance, avant de passer au circuit physique.
L’électrification stimule la croissance des semiconducteurs en carbure de silicium (SiC) compte tenu de leurs capacités de commutation rapide, de leurs faibles pertes et de leurs performances aux températures élevées, en particulier dans les domaines de l’e-mobilité, du développement durable et de l’industrie (véhicules électriques, chargeurs embarqués ou externes, alimentations, systèmes de stockage sur batterie, etc.).
Pour aider les concepteurs de circuits de puissance à passer facilement et rapidement du silicium aux solutions SiC, Microchip Technology, l’un des acteurs du secteur, lance son propre simulateur de solutions SiC baptisé SiC MPLAB. Cet outil en ligne gratuit, qui évite l’achat d’une licence, permet d’évaluer rapidement les dispositifs et modules d’alimentation SiC de l’Américain dans différentes topologies, avant de passer de la conception au circuit physique.
Il s’agit d’un environnement logiciel basé sur PLECS, le logiciel de simulation des systèmes électroniques de puissance et des entraînements électriques développé par la société suisse Plexim.
« Les clients qui s’intéressent à la technologie SiC peuvent désormais utiliser le simulateur de puissance SiC MPLAB sur le web, pour évaluer et sélectionner le meilleur produit SiC de Microchip, qui présente deux décennies d’investissement dans le carbure de silicium », indique Clayton Pillion, vice-président de la division SiC de Microchip.
Le simulateur permet d’accélérer la commercialisation de nouveaux produits en assurant une évaluation complète des dispositifs SiC, en fournissant des données comparatives, et en aidant au choix des composants. Par exemple, si un ingénieur hésite entre un Mosfet SiC 25 mΩ et un modèle 40 mΩ pour un convertisseur frontal actif triphasé, il pourra s’aider du simulateur pour évaluer, par exemple, l’énergie moyenne dissipée et la température de jonction maximale des deux solutions.
L’offre de Microchip en carbure de silicium comprend des modules de puissance (notamment des modèles présentant un inductance parasite inférieure à 2,9 nH), ainsi que des Mosfet et des diodes discrètes 3,3 kV présentant les courants nominaux parmi les plus élevés du marché. La gamme SiC comprend également des circuits, des composants discrets et des modules 700 V, 1200 V et 1700 V, ainsi que des drivers de grille configurables AgileSwitch.
