MOSFET SiC 4 broches | Rohm
Rohm a annoncé la disponibilité de six nouveaux MOSFET SiC à structure de grille dite « trench » (650 V/1200 V), la série SCT3xxx xR, adaptée à la gestion des alimentations des serveurs, onduleurs, des onduleurs d’énergie solaire et des stations de recharge pour VE requérant une efficacité élevée.
La série SCT3xxx xR fait appel à un boîtier 4 broches (TO-247-4L) maximisant les performances de commutation, permettant de réduire les pertes de commutation de jusqu’à 35% par rapport aux types de boîtiers conventionnels à 3 broches (TO-247N). Cela contribue à réduire la consommation d’énergie dans de nombreuses applications.
Ces dernières années, les besoins croissants de services de cloud dus à la prolifération de l’IA et de l’IoT ont accru la demande de centres de données dans le monde entier. Mais pour les serveurs utilisés dans les centres de données, un défi majeur est de savoir comment réduire la consommation d’énergie à mesure que la capacité et les performances augmentent. Dans le même temps, les composants SiC attirent l’attention en raison de leur meilleure efficacité et les faibles pertes par rapport aux appareils grand public utilisant des composants silicium dans les circuits de conversion d’énergie des serveurs. De plus, comme le boîtier TO-247-4L permet de réduire les pertes de commutation par rapport aux boîtiers conventionnels, il devrait être adopté dans les applications à haut rendement telles que les serveurs, les stations de base et la production d’énergie solaire.
Avec des boîtiers conventionnels 3 broches (TO-247N), la tension effective de grille sur la puce diminue en raison de la chute de tension sur l’inductance parasite de la borne source. Cela entraîne une réduction de la vitesse de commutation. L’adoption du boîtier 4 broches TO-247-4L sépare le driver et les broches de source de courant, minimisant les effets de la composante d’inductance parasite. Cela permet de maximiser la vitesse de commutation des MOSFET SiC, réduisant la perte totale de commutation (mise sur Marche et mise sur Arrêt) jusqu’à 35% par rapport au boîtier conventionnel.
La série SCT3xxx xR se compose de MOSFET SiC utilisant une structure de grille « Trench ». Six modèles sont proposés, avec une tension de rupture de 650 V (3 produits) ou 1200 V (3 produits).
Fabricant : ROHM Semiconductor
Référence : série SCT3xxx xR
