MOSFET SiC de 4e génération à faible résistance à l’état passant | Rohm
Rohm Semiconductor annonce la mise en point de la 4e génération 1200V SiC MOSFET, optimisée pour les groupes motopropulseurs automobiles, y compris l’onduleur d’entraînement principal, ainsi que pour les alimentations électriques pour les équipements industriels.
Ces dernières années, le foisonnement des véhicules électriques de nouvelle génération (VEx) a accéléré le développement de systèmes électriques plus petits, plus légers et plus efficaces. En particulier, l’amélioration de l’efficacité tout en réduisant la taille de l’onduleur principal – qui joue un rôle central dans le système d’entraînement – reste l’un des principaux défis, nécessitant des progrès plus poussés dans les composants électroniques.
La capacité de la batterie embarquée augmente pour améliorer l’autonomie de croisière des véhicules électriques. Parallèlement à cela, l’utilisation de batteries à haute tension (800 V) progresse pour répondre à la demande de temps de charge plus brefs.
Pour relever ces différents défis, les concepteurs ont urgemment besoin de composants de puissance SiC capables de fournir une haute tension de tenue avec de faibles pertes. Rohm, un pionnier du SiC, a dès 2010 commencé la production en masse de SiC MOSFET. Dès le début, Rohm a renforcé sa gamme pour y inclure des produits qualifiés AEC-Q101 permettant à la société de détenir une grande part du marché des chargeurs embarqués pour automobiles.
Pour les semiconducteurs, il y a souvent un compromis à trouver entre une résistance à l’état passant et un temps de tenue aux courts-circuits, ce qui est nécessaire pour trouver un équilibre permettant d’obtenir des pertes plus faibles des MOSFET SiC. Rohm a su améliorer cette relation de compromis et réduire la résistance à l’état passant par unité de surface de 40% par rapport aux produits conventionnels – sans sacrifier le temps de résistance aux courts-circuits en améliorant encore une structure à double tranchée originale. De plus, la réduction significative de la capacitance parasitique (ce qui est un problème durant la commutation) rend possible de réaliser une perte de commutation 50% plus basse en comparaison avec la génération précédente de MOSFET SiC du fabricant.
Par conséquent, les nouveaux MOSFET SiC de 4e génération de Rohm sont capables de fournir une faible résistance à l’état passant avec des performances de commutation haute vitesse, contribuant à une plus grande miniaturisation et une consommation de courant plus basse dans de nombreuses applications, y compris les onduleurs automobiles et les alimentations de puissance de commutation.
Fabricant : Rohm Semiconductor
