Nexperia investit 184 M€ dans le GaN et le SiC sur son site de Hambourg
L’investissement concerne l’extension des capacités de R&D et de production du groupe dans le domaine des semiconducteurs à grand gap mais aussi du silicium. Le site allemand accueillera ainsi les trois principales technologies de semiconducteurs.
Nexperia annonce ce jour un investissement de 184 millions d’euros pour développer la prochaine génération de semiconducteurs à grand gap, tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN), et établir une infrastructure de production dédiée, sur son site historique de Hambourg. L’investissement servira également à accroître la capacité de production du site en tranches de silicium pour la production de diodes et de transistors. A terme, les trois technologies (SiC, GaN et silicium) seront par conséquent développées et produites par Nexperia en Allemagne.
© Nexperia
« À l’avenir, notre usine de Hambourg couvrira la gamme complète de semiconducteurs à grand gap, tout en restant la plus grande usine de diodes et de transistors silicium pour les petits signaux, souligne Achim Kempe, directeur des opérations de Nexperia Allemagne. Nous restons engagés dans notre stratégie consistant à produire des semiconducteurs de haute qualité et rentables pour les applications standards et les applications à forte consommation d’énergie, tout en relevant l’un des plus grands défis de notre génération : répondre à la demande croissante d’énergie tout en réduisant l’empreinte environnementale. »
Les premières lignes de production de transistors GaN haute tension et de diodes SiC viennent d’ailleurs de démarrer à Hambourg. La prochaine étape sera la mise en service d’ici deux ans de lignes de production modernes et rentables de tranches de 200 mm pour les Mosfet SiC et les transistors HEMT GaN basse tension. Dans le même temps, l’investissement contribuera à automatiser davantage l’infrastructure industrielle existante du site et à accroître la capacité de production de tranches de silicium en la convertissant systématiquement au 200 mm. Par ailleurs, suite à l’agrandissement des salles blanches, de nouveaux laboratoires de R&D sont construits pour continuer à assurer une transition fluide de la recherche vers la production.
« Cet investissement nous permet d’amener la conception et la production de puces à grand gap à Hambourg, mais les technologies GaN et SiC ne sont en aucun cas un territoire nouveau pour Nexperia, tient à préciser Stefan Tilger, directeur financier de Nexperia Allemagne. Les FET GaN font partie de notre portefeuille depuis 2019 et en 2023, nous avons élargi notre gamme de produits pour y inclure les diodes et Mosfet SiC, notamment en collaboration avec Mitsubishi Electric. Nexperia est ainsi l’un des rares fournisseurs à proposer une gamme complète de technologies de semiconducteurs, couvrant le GaN, le SiC et le silicium, ce qui fait de Nexperia un guichet unique pour tous les besoins en semiconducteurs de nos clients. »
Depuis sa scission de NXP en 2017, Nexperia a investi des sommes importantes sur le site de Hambourg, en faisant passer ses effectifs de 950 à environ 1600 personnes et en investissant dans son infrastructure technologique.
