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Nexperia lance ses premiers Mosfet SiC

Nexperia lance ses premiers Mosfet SiC

Développés dans le cadre de l’accord récent signé avec Mitsubishi Electric, ces Mosfet SiC 1200 V référencés NSF040120L3A0 et NSF080120L3A0 affichent des performances intéressantes, notamment en termes de stabilité en température.

Il y a quelques semaines à peine, Nexperia et Mitsubishi Electric annonçait la signature d’un accord portant sur le développement commun de Mosfet en carbure de silicium (SiC) à destination des marchés industriels, automobiles et grand public.

© Nexperia

Aujourd’hui, ce partenariat stratégique commence déjà à porter ses fruits puisque que Nexperia annonce le lancement de deux Mosfet SiC de 1200 V, les premiers de son catalogue. Référencés NSF040120L3A0 et NSF080120L3A0, et d’ores et déjà disponibles en volume, ces deux modèles en boîtier TO-247 à 3 broches traversantes affichent des résistances drain-source à l’état passant (Rds(on)) de 40 mΩ et 80 mΩ, respectivement. Ils ciblent les applications industrielles, notamment les bornes de recharge pour véhicules électriques, les alimentations sans coupure (UPS) et les onduleurs pour systèmes solaires et dispositifs de stockage d’énergie.

« Il s’agit du premier chapitre de notre engagement à produire des Mosfet SiC de la plus haute qualité dans le cadre de notre partenariat avec Mitsubishi Electric et pour l’inauguration de cette gamme, nous voulions placer la barre le plus haut possible en matière de performances, assure Katrin Feurle, directrice et responsable de la gamme de produits SiC de Nexperia. Contrairement à de nombreux autres Mosfet SiC actuellement disponibles sur le marché, ils offrent notamment une grande stabilité en température avec une valeur nominale de Rds(on) qui augmente de seulement 38 % sur une plage de température de fonctionnement étendue allant de +25°C à +175°C. »

Ces composants présentent également une charge de grille totale (Qg) très faible, ce qui présente l’avantage de réduire les pertes de commande de grille, ainsi qu’un rapport Qgd/Qgs présenté comme exceptionnellement faible, pour une meilleure immunité contre les tensions parasites lors de la mise sous tension.

Nexperia promet d’étendre rapidement sa gamme de Mosfet SiC pour inclure des modèles déclinés suivant plusieurs valeurs de Rds(on) et avec un choix de boîtiers traversants ou montés en surface. Des versions de qualité automobile sont également au programme dans un futur proche.

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