Nexperia optimise les boîtiers de ses Mosfet SiC 1200 V

Grâce à des boîtiers CMS à refroidissement par le dessus, les derniers Mosfet SiC 1200 V du Néerlandais affichent une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) qui varie au maximum de 38% entre 25°C et 175°C, soit largement moins que les modèles standard.

Avec l’intégration de plus en plus poussée des composants à base de semiconducteurs à grand gap (SiC, GaN) dans l’électronique de puissance, les fournisseurs de ce type de composants travaillent autant à l’obtention de performances toujours plus élevées, qu’à l’optimisation thermique de leurs boîtiers, toujours plus compacts.

C’est le cas par exemple du Néerlandais Nexperia qui vient d’annoncer la commercialisation de Mosfet 1200 V en carbure de silicium (SiC) logés dans des boîtiers nommés X.PAK qui se distinguent par un refroidissement par le dessus. Si l’on en croit Nexperia, ce type de boîtier CMS permet de combiner la compacité (son empreinte sur le circuit imprimé est de 14 x 18,5 mm) et la facilité d’assemblage des boîtiers CMS classiques avec la capacité à dissiper la chaleur des boîtiers à broches traversantes.

© Nexperia

Résultat : ces composants affichent une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) qui varie au maximum de 38% entre 25°C et 175°C, alors que cette valeur pourrait doubler dans le cas d’un boîtier standard. Les modèles actuellement disponibles sont caractérisés par une Rds(on) de 30, 40 ou 60 mΩ, selon les modèles, mais des déclinaisons à 17 et 80 mΩ seront prochainement introduites.

Ces composants ciblent les applications industrielles telles que les systèmes de stockage d’énergie par batterie (BESS), les onduleurs photovoltaïques, les variateurs de vitesse et les onduleurs. Ils sont également adaptés aux infrastructures de recharge de véhicules électriques, notamment les bornes de recharge. Nexperia promet également, d’ici la fin de l’année, des versions qualifiées pour l’automobile.