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Résistance à l’état passant en chute libre pour les Mosfet de Rohm

Résistance à l’état passant en chute libre pour les Mosfet de Rohm

Le Japonais a développé des composants associant dans un même boîtier un Mosfet canal N et un Mosfet canal P de dernière génération, dans le but de prendre en charge des fluctuations de tension importantes mais également de réduire la taille et la consommation des moteurs industriels.

Depuis quelques années, dans les applications industrielles, les Mosfet utilisés dans les moteurs doivent non seulement assurer une marge suffisante pour faire face à des fluctuations de tension potentiellement importantes, mais également afficher une vitesse de commutation élevée ainsi qu’une résistance à l’état passant aussi faible que possible afin d’améliorer encore le rendement et la miniaturisation des moteurs.

Pour répondre à ces besoins, Rohm a développé des Mosfet ±40 V/ ±60 V permettant à la fois de prendre en charge les fluctuations de tension requises pour des équipements alimentés en 24 V et d’afficher une résistance à l’état passant réduite.

Pour cela, la série QH8Mx5/SH8Mx5 utilise une structure double qui combine un Mosfet canal N et un Mosfet canal P dans un même composant et exploite les dernières évolutions des procédés de fabrication de Rohm. Résultat : une résistance à l’état passant réduite de 61% pour le Mosfet canal P utilisé dans le nouveau composant du fabricant japonais et de 39% pour le Mosfet canal N. Au global, la résistance à l’état passant des composants canal N + canal P de la série QH8Mx5/SH8Mx5 s’échelonne entre 16,8 et 91 milliohms, selon les modèles.

L’intégration de deux Mosfet dans un même boîtier contribue par ailleurs à miniaturiser la solution en réduisant la surface de montage, et à diminuer la charge de travail requise pour la sélection des composants (combinaison canal N + canal P).

Les composants de la série QH8Mx5/SH8Mx5 sont disponibles en deux tailles de boîtier, respectivement TSMT8 (2,8 x 3 x 0,8 mm) et SOP8 (6 x 5 x 1,75 mm).

Précisons que Rohm propose également des Mosfet à structure double de type canal N + canal N référencés QH8Kxx/SH8Kxx pour des tensions de 40 V/ 60 V. Également disponibles en boîtiers TSMT8 et SOP8, ils présentent des résistances à l’état passant comprises entre 8,4 et 90 milliohms selon les modèles.

Enfin, il est à noter que le Japonais prépare actuellement des déclinaisons 100 V et 150 V de ses Mosfet doubles.

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