Samsung et AMD consolident leur alliance sur la mémoire IA

Les deux groupes unissent leurs expertises pour développer des solutions mémoire de nouvelle génération, notamment la HBM4, afin d’alimenter les infrastructures IA les plus performantes et évolutives du marché. Nvidia est clairement dans la ligne de mire.

AMD poursuit sa stratégie vers les solutions d’IA de haut niveau afin de s’imposer comme un concurrent sérieux de Nvidia sur ce créneau. En témoigne l’accord que le géant américain a signé hier avec Samsung Electronics, dans le cadre d’une visite de Lisa Su, la patronne d’AMD, chez Samsung Electronics, en Corée du Sud. Cet accord a pour objectif de renforcer leur collaboration stratégique autour des technologies de mémoire et de calcul pour l’IA, et notamment de soutenir le développement de systèmes IA de nouvelle génération, en combinant les capacités mémoire avancées de Samsung avec les plateformes de calcul haute performance d’AMD.

Au cœur de ce partenariat figure la fourniture de mémoires HBM4 de pointe pour les futurs GPU AMD Instinct MI455X, ainsi que le développement de solutions DDR5 optimisées pour les processeurs AMD Epyc de 6è génération et et ses architectures à l’échelle du rack de type Helios. Cette approche intégrée vise à améliorer les performances globales des systèmes, du silicium jusqu’à l’infrastructure complète.

L’accord a été signé hier dans le cadre d’une visite de Lisa Su, présidente et CEO d’AMD, ici en compagnie de Young Hyun Jun, CEO de Samsung Electronics, dans le complexe de production de puces le plus avancé de Samsung, à Pyeongtaek, en Corée du Sud. – © Samsung Electronics

« Samsung et AMD partagent un engagement commun en faveur du développement de l’IA, et cet accord témoigne de l’ampleur croissante de notre collaboration, souligne Young Hyun Jun, vice-président et directeur général de Samsung Electronics. Des architectures mémoire HBM4 aux technologies de fonderie et d’encapsulation avancées, Samsung est idéalement positionné pour fournir des solutions clés en main inégalées, capables de soutenir la stratégie d’AMD en matière d’IA. »

« Pour alimenter la prochaine génération d’infrastructures d’IA, une collaboration étroite est indispensable au sein de l’industrie, renchérit Lisa Su, présidente et CEO d’AMD. Nous sommes ravis de renforcer notre collaboration avec Samsung et d’associer son expertise en matière de mémoire avancée à nos GPU Instinct, nos processeurs Epyc et nos plateformes rack. L’intégration de l’ensemble de la chaîne de valeur informatique, du silicium au système jusqu’au rack, est essentielle pour accélérer l’innovation en IA et obtenir un impact concret à grande échelle. »

La mémoire HBM4 développée par Samsung représente une avancée importante avec des vitesses pouvant atteindre 13 Gbit/s et une bande passante maximale de 3,3 To/s, surpassant les standards actuels. Basée sur un procédé Dram de classe 10 nm de 6è génération et une puce logique en 4 nm, elle offre des performances, une efficacité énergétique et une fiabilité adaptées aux charges intensives liées à l’entraînement et à l’inférence des modèles d’IA.

Ce partenariat s’inscrit dans une collaboration de longue date entre les deux entreprises, déjà partenaires sur les générations précédentes de mémoire HBM. Il ouvre également la voie à de futures coopérations dans le domaine de la fonderie, renforçant encore l’intégration technologique entre mémoire, calcul et fabrication.