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Samsung lance la production en série de la première mémoire flash V-NAND 3D de 256 gigabits

Samsung lance la production en série de la première mémoire flash V-NAND 3D de 256 gigabits

Samsung Electronics a annoncé le 11 août le début de la production en série de la première mémoire flash NAND verticale (V-NAND) en trois dimensions (3D) de 256 gigabits constituée de 48 couches de matrices de cellules MLC (cellule multiniveau) à 3 bits et destinée aux disques durs SSD (solid state drives).

v-nand-250815La nouvelle mémoire flash V-NAND 3D 256 Gb de Samsung double la densité par rapport à celle des puces flash NAND de 128 Gb conventionnelles. En offrant 32 gigaoctets (256 gigabits) de mémoire sur une seule matrice, la nouvelle puce multiplie par deux la capacité des gammes SSD Samsung existantes. Cette solution ouvre la voie à des SSD de plusieurs téraoctets.

Après avoir lancé ses puces V-NAND de 2e génération (V-NAND MLC 3 bits à 32 couches) en août 2014, Samsung renforce sa position de leader de l’ère de la mémoire 3D en lançant, un an après, ses puces V-NAND de 3e génération (V-NAND MLC 3 bits à 48 couches).

Dans la nouvelle puce V-NAND, chaque cellule utilise la même structure 3D CTF (Charge Trap Flash) dans laquelle les matrices de cellules sont empilées verticalement sur 48 couches raccordées électriquement par quelque 1,8 milliard de trous perforés dans les matrices grâce à une technologie de gravure spéciale. Chaque puce contient plus de 85,3 milliards de cellules au total. Elles peuvent stocker 3 bits de données, ce qui représente 256 milliards de bits de données, c’est-à-dire 256 Gb sur une puce pas plus grande que le bout du doigt.

Une puce flash V-NAND MLC 3 bits à 48 couches de 256 Gb consomme 30% de moins d’énergie qu’une puce V-NAND MLC 3 bits à 32 couches de 128 Gb pour stocker le même volume de données. La productivité de la fabrication de la nouvelle puce est 40% supérieure à celle du modèle précédent de 32 couches, ce qui accroit considérablement la compétitivité en matière de prix sur le marché SSD, tout en utilisant essentiellement le même équipement.

Samsung prévoit de produire les V-NAND de 3e génération jusqu’à la fin de l’année 2015 afin d’accélérer encore l’adoption des SSD de plusieurs téraoctets.

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