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ST complète sa gamme de modules de puissance en GaN

ST complète sa gamme de modules de puissance en GaN

Intégrant deux transistors GaN 650 V, les pilotes de grilles ainsi que des circuits de protection, les modules MasterGaN du franco-italien se déclinent désormais en version 45 W et 150 W.

STMicroelectronics a récemment enrichi sa gamme MasterGaN de modules de puissance en GaN (nitrure de gallium) avec des modèles de 45 W (MasterGaN3) et 150 W (MasterGaN5). Ils viennent ainsi compléter les MasterGaN1, MasterGaN2, et MasterGaN4 dédiés aux puissance allant de 65 W à 400 W.

Rappelons que la gamme Master GaN présente un haut niveau d’intégration, les modules comprenant deux transistors GaN 650 V, ainsi que les pilotes de grilles et des circuits de protection. Ce faisant, et couplé à la fréquence de commutation très élevée propre au GaN, les modules de puissance de STMicroelectronics sont censés permettre la conception d’alimentations 80% plus compactes que leurs déclinaisons en silicium, sans pour autant rogner sur la robustesse et la fiabilité.

Les transistors du MasterGaN3 affichent des résistances à l’état passant (Rds(on)) asymétriques de 225 mΩ et 450 mΩ, tandis que, dans le cas du MasterGaN5, les Rds(on) des deux transistors sont identiques avec 450 mΩ.

A l’instar des autres modèles de la gamme MasterGaN, ces deux modules disposent d’entrées compatibles avec des signaux logiques s’échelonnant de 3,3 V à 15 V permettant de simplifier la connexion d’un DSP hôte, d’un FPGA, d’un microcontrôleur ou d’un dispositif externe type capteur à effet Hall.

Encapsulés en boîtier GQFN de 9 x 9 mm, les MasterGaN3 et MasterGaN5 sont disponibles respectivement au prix de 6,08 et 5,77 dollars par quantité de 1000 pièces. Des kit d’évaluation sont également proposés.

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