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Étiquette : 10 nm

Samsung qualifie une technologie FinFET 10 nm de 2e génération

Samsung Electronics annonce que sa technologie FinFET 10 nm de deuxième génération, 10LPP (Low Power Plus), a été qualifiée et qu’elle est prête pour la production. Grâce aux améliorations apportées à la structure FinFET 3D, le procédé 10LPP offre 10% de performances en plus ou 15% de consommation d’énergie en moins par rapport à la technologie 10LPE (Low Power Early) de première génération à surface égale.

Samsung démarre la production en technologie FinFET 10 nm

Samsung Electronics annonce ce matin avoir démarré la production de masse des premiers circuits de type systèmes-sur-une-puce (SoC) réalisés dans une technologie FinFET 10 nm baptisée 10LPE. Les premiers circuits SoC en technologie 10 nm devraient être intégrés dans des terminaux numériques début 2017.

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