Étiquette : 3 nm

Samsung Electronics annonce le lancement d’une production qualifiée d’initiale en technologie 3 nm appliquant l’architecture de transistor Gate-All-Around (GAA). Le procédé optimisé 3 nm permet de réduire de 45% la consommation d’énergie, d’améliorer les performances de 23% et de réduire la surface de la puce de 16% par rapport à la technologie 5 nm.