Œuvres du Californien EPC, les transistors à effet de champs en GaN de la série EPC2252 ciblent les lidars automobiles haute résolution, mais aussi la conversion DC-DC 48 V – 12 V et les commandes de moteur à faible inductance.
Signés EPC (Efficient Power Conversion), les transistors FET 150 V et 200 V en technologie GaN des séries EPC2305 et EPC2304 présentent des résistances drain-source à l’état passant (Rds(on)) de seulement 3 mΩ et 5 mΩ, respectivement, soit des valeurs réduites de moitié par rapport aux FET en silicium.
Qualifiés AEC-Q101, les transistors FET 80 V en GaN de l’Américain visent la conversion d’énergie 48 V-12 V, l’infodivertissement et les lidars dans l’automobile, qui peuvent ainsi bénéficier des avantages du nitrure de gallium.
L’Américain a réservé à Electronica la primeur du lancement de sa 6è génération de FET de sa gamme eGaN, avec un premier modèle de 80 V dont la densité de puissance est doublée par rapport à celle de son prédécesseur.
Offrant une empreinte sur le circuit imprimé compacte et identique à celle des modèles 100 V EPC2302 (1,8 mΩ) et EPC2306 (3,8 mΩ), les transistors Fet de 150 V en nitrure de gallium (GaN) d’EPC référencés EPC2308 affichent une résistance drain-source à l’état passant aussi faible que 4,9 mΩ.
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