Sélectionner une page

Étiquette : EPC

Transistors FET 150 et 200 V en technologie GaN

Signés EPC (Efficient Power Conversion), les transistors FET 150 V et 200 V en technologie GaN des séries EPC2305 et EPC2304 présentent des résistances drain-source à l’état passant (Rds(on)) de seulement 3 mΩ et 5 mΩ, respectivement, soit des valeurs réduites de moitié par rapport aux FET en silicium.

Chargement

INSCRIPTION NEWSLETTER

DECOUVREZ VIPRESS MESURE

REJOIGNEZ-NOUS

Newsletters par date

mai 2025
L M M J V S D
 1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031  

ALLEZ A L'ESSENTIEL !

Recevez notre newsletter par email  

You have Successfully Subscribed!

Pin It on Pinterest