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Étiquette : EPC

Transistors FET 150 et 200 V en technologie GaN

Signés EPC (Efficient Power Conversion), les transistors FET 150 V et 200 V en technologie GaN des séries EPC2305 et EPC2304 présentent des résistances drain-source à l’état passant (Rds(on)) de seulement 3 mΩ et 5 mΩ, respectivement, soit des valeurs réduites de moitié par rapport aux FET en silicium.

Transistors GaN 150 V compacts à faible résistance à l’état passant

Offrant une empreinte sur le circuit imprimé compacte et identique à celle des modèles 100 V EPC2302 (1,8 mΩ) et EPC2306 (3,8 mΩ), les transistors Fet de 150 V en nitrure de gallium (GaN) d’EPC référencés EPC2308 affichent une résistance drain-source à l’état passant aussi faible que 4,9 mΩ.

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