Sélectionner une page

Transistors FET 150 et 200 V en technologie GaN

Transistors FET 150 et 200 V en technologie GaN

Signés EPC (Efficient Power Conversion), les transistors FET 150 V et 200 V en technologie GaN des séries EPC2305 et EPC2304 présentent des résistances drain-source à l’état passant (Rds(on)) de seulement 3 mΩ et 5 mΩ, respectivement, soit des valeurs réduites de moitié par rapport aux FET en silicium.

Principales caractéristiques:

• Rds(on) : 3 mΩ pour la version 150 V (EPC2305), 5 mΩ pour la version 200 V (EPC2304)

• Valeurs de Qg, Qgd, Qoss trois fois inférieures à celles des FET en silicium

• Valeur de Qrr nulle

• Boîtier miniature PQFN (3 x 5 mm) optimisé thermiquement

• Cartes de développement de 50,8 x 50,8 mm

• Applications : conversion DC-DC, alimentations à découpage et chargeurs AC/DC, micro-onduleurs solaires, commande moteur, etc.

Fabricant: EPC (Efficient Power Conversion)

Référence produit: séries EPC2305 et EPC2304

INSCRIPTION NEWSLETTER

DECOUVREZ VIPRESS MESURE

REJOIGNEZ-NOUS

Newsletters par date

décembre 2023
L M M J V S D
 123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031

ALLEZ A L'ESSENTIEL !

Recevez notre newsletter par email  

You have Successfully Subscribed!

Pin It on Pinterest

Share This