Texas Instruments a développé les premiers pilotes de grille pour transistors à effet de champ (FET) en nitrure de gallium (GaN) durcis aux radiations et capables de fonctionner jusqu’à 200 V.
Le transistor à effet de champ référencé EPC2361 est présenté par le Californien comme le FET GaN 100 V doté de la plus faible résistance drain-source à l’état passant du marché, avec seulement 1 mΩ.
Destinés aux applications spatiales et à haute fiabilité, les derniers transistors GaN durcis 100 V et 200 V du Californien Efficient Power Conversion disposent d’un encombrement particulièrement réduit.
Œuvres du Californien EPC, les transistors à effet de champs en GaN de la série EPC2252 ciblent les lidars automobiles haute résolution, mais aussi la conversion DC-DC 48 V – 12 V et les commandes de moteur à faible inductance.
Signés EPC (Efficient Power Conversion), les transistors FET 150 V et 200 V en technologie GaN des séries EPC2305 et EPC2304 présentent des résistances drain-source à l’état passant (Rds(on)) de seulement 3 mΩ et 5 mΩ, respectivement, soit des valeurs réduites de moitié par rapport aux FET en silicium.
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