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Étiquette : GaN sur silicium

Macom et ST accélèrent sur le GaN sur silicium pour le déploiement des infrastructures 5G

Afin de soutenir le déploiement des infrastructures réseau télécoms 5G dans le monde, Macom et STMicroelectronics annoncent l’expansion, en 2019, de la capacité de production sur tranches en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Silicon) en 150 mm dans les usines de fabrication de ST, et en 200 mm en fonction de la demande. Cette expansion s’inscrit dans le prolongement de l’accord signé par Macom et ST début 2018 portant sur le GaN sur silicium.

ST et MACOM s’allient pour produire des circuits RF en nitrure de gallium sur silicium

L’Américain MACOM Technology Solutions, fournisseur de semiconducteurs RF, micro-ondes, ondes millimétriques et ondes lumineuses, et STMicroelectronics annoncent un accord portant sur le développement de circuits sur tranches en nitrure de gallium (GaN) sur silicium fabriqués par ST pour le compte de MACOM qui les utilisera dans un large éventail d’applications RF.

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