Alors que les solutions à base de carbure de silicium (SiC) se déploient dans les véhicules électriques, le Japonais et le Taïwanais estiment que l’électronique de puissance en base de nitrure de gallium (GaN) aura aussi sa place dans l’automobile.
L’équipementier automobile Valeo et le Japonais Rohm Semiconductor s’associent pour proposer et optimiser une prochaine génération de modules de puissance pour les onduleurs de moteur électrique en combinant leurs expertises en matière de gestion de l’électronique de puissance. Dans un premier temps Rohm fournira à Valeo son module de puissance 2-en-1 en carbure de silicium (SiC) TRCDRIVE pack pour ses futures solutions de propulsion.
Cet accord à long terme permettra à l’équipementier automobile chinois de répondre à la demande croissante concernant ses onduleurs pour véhicules électriques à base de modules en carbure de silicium.
Développée par Rohm, cette source lumineuse allie la précision et la stabilité des lasers à cavité verticale aux grands angles d’émission des diodes électroluminescentes, pour améliorer les systèmes de surveillance des habitacles automobiles, les solutions de guidage des robots industriels ou encore les dispositifs de reconnaissance spatiale.
SiCrystal, filiale du Japonais basée à Nuremberg, lance les travaux d’une nouvelle usine qui lui permettra de tripler sa capacité de production de substrats SiC d’ici 2027.
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