Sélectionner une page

Étiquette : Rohm Semiconductor

Diodes à barrière Schottky à temps de recouvrement inverse amélioré

Pour pallier les limites des modèles à structure Trench-MOS classique, Rohm Semiconductor a développé la série YQ de diodes à barrière Schottky utilisant une structure Trench-MOS propriétaire. Elle réduit la tension directe (VF) et le courant direct (IR), d’où une perte de puissance plus faible en cas d’utilisation dans des applications de polarisation directe, tout en réduisant le risque d’emballement thermique.

Chargement

INSCRIPTION NEWSLETTER

NE MANQUEZ PAS LE 13 MAI

DECOUVREZ VIPRESS MESURE

REJOIGNEZ-NOUS

Newsletters par date

mai 2025
L M M J V S D
 1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031  

ALLEZ A L'ESSENTIEL !

Recevez notre newsletter par email  

You have Successfully Subscribed!

Pin It on Pinterest