Toshiba abaisse la résistance à l’état passant de ses Mosfet de puissance 40 V

Avec le TPHR6704RL, Toshiba améliore nettement l’efficacité des alimentations grâce à une résistance à l’état passant très faible et des performances de commutation optimisées. Ce composant vise les applications exigeantes comme les data centers et l’industrie.

Toshiba Electronics Europe dévoile le TPHR6704RL, un Mosfet de puissance canal N 40 V reposant sur sa technologie avancée U-MOS11-H. Conçu pour les alimentations à découpage, ce composant cible en priorité les centres de données et les équipements industriels, tels que les convertisseurs DC-DC, les régulateurs de tension et les variateurs de vitesse pour moteurs.

L’un des principaux atouts de ce Mosfet réside dans sa très faible résistance drain-source à l’état passant Rds(on). Avec une valeur typique de 0,52 mΩ et un maximum de 0,67 mΩ à 10 V, il affiche une amélioration d’environ 21% par rapport à la génération précédente. Cette réduction contribue directement à limiter les pertes de conduction et à améliorer le rendement global des systèmes d’alimentation.

© Toshiba Electronics Europe

Les performances de commutation ont également été optimisées. Grâce à une charge de grille réduite et à un facteur de mérite Rds(on) × Qg amélioré d’environ 37%, le TPHR6704RL permet un fonctionnement plus efficace, avec des pertes minimisées. Cette évolution favorise la conception d’alimentations plus compactes et performantes.

Autre avantage notable : la réduction des interférences électromagnétiques. Le composant limite les pics de tension entre drain et source lors des phases de commutation, contribuant ainsi à une meilleure compatibilité électromagnétique dans les systèmes sensibles.

Sur le plan thermique et électrique, le Mosfet de Toshiba offre une robustesse élevée, avec un courant de drain maximal de 420 A et une bonne dissipation thermique. Il peut fonctionner jusqu’à une température de canal de 175°C, ce qui le rend adapté aux environnements industriels contraints.

Le boîtier SOP Advance (N) garantit une compatibilité avec les conceptions existantes, facilitant l’intégration ou le remplacement dans les cartes électroniques. Enfin, Toshiba accompagne ce composant d’outils de simulation avancés, permettant aux concepteurs d’optimiser leurs circuits en termes de rendement, de comportement thermique et de compatibilité électromagnétique.

Principales caractéristiques :

• Mosfet canal N 40 V basé sur la technologie U-MOS11-H

• Résistance Rds(on) typique très faible : 0,52 mΩ

• Réduction d’environ 21% de la Rds(on) par rapport à la génération précédente

• Facteur de mérite Rds(on) × Qg amélioré d’environ 37%

• Charge de grille optimisée (Qg : 88 nC, Qsw : 24 nC)

• Réduction des interférences électromagnétiques (EMI)

• Courant de drain maximal élevé : 420 A

• Température de fonctionnement jusqu’à 175 °C

• Boîtier SOP Advance (N) compatible avec designs existants

• Modèles Spice avancés pour simulation et optimisation des performances