Toshiba améliore les performances de ses Mosfet grâce à un nouveau boîtier
Le nouveau boîtier SOP Advance(E) du Japonais permet de réduire les pertes de ses Mosfet de puissance canal N 80 V et 150 V et d’améliorer le rendement des équipements industriels, des centres de données et des stations de base.
Toshiba Electronics Europe annonce la disponibilité de deux nouveaux Mosfet de puissance canal N – le TPM1R908QM de 80 V et le TPM7R10CQ5 de 150 V – qui se distinguent par l’adoption du boîtier SOP Advance(E) de Toshiba, conçu pour améliorer de manière significative les performances des alimentations à découpage utilisées dans les équipements industriels exigeants, notamment les centres de données et les stations de base de communication.
© Toshiba Electronics Europe
Le nouveau boîtier SOP Advance(E) représente une amélioration substantielle des performances des Mosfet de Toshiba par rapport au boîtier SOP Advance(N) existant, dans la mesure où sa résistance est réduite de l’ordre de 65% et sa résistance thermique d’environ 15%. Ces bénéfices en termes d’encapsulation se traduisent directement par des performances supérieures de ces composants. Le TPM1R908QM 80 V présente ainsi une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) et une résistance thermique canal-boîtier (Rth(ch-c)) réduites respectivement de 21% et 15% par rapport au produit Toshiba existant, le TPH2R408QM, de même tension nominale. Pour le TPM7R10CQ5 150 V, Toshiba évoque des réductions dans les mêmes proportions par rapport au TPH9R00CQ5 actuel du Japonais, toujours à tensions nominales égales. Par ailleurs, le TPM7R10CQ5 est équipé d’une diode haute vitesse pour une efficacité accrue en redressement synchrone.
La réduction de la résistance à l’état passant et la limitation de l’échauffement grâce à une meilleure résistance thermique contribuent à une résistance à l’état passant globale plus faible, même en tenant compte des caractéristiques de température positives. Cette combinaison contribue à diminuer de manière significative les pertes, et donc à améliorer le rendement dans les applications critiques telles que les alimentations à découpage pour équipements industriels.
Par ailleurs, le TPM1R908QM affiche une tension drain-source (Vdss) de 80 V, un courant de drain (Id) de 238 A (Tc = 25°C) et une résistance de charge (Rds) maximale de 1,9 mΩ (Vgs = 10 V). Le TPM7R10CQ5 présente une Vdss de 150 V, un Id de 120 A (Tc = 25°C) et une Rds maximale de 7,1 mΩ (Vgs = 10 V). Encapsulés dans un boîtier SOP Advance(E) mesurant 4,9 x 6,1 mm, les deux composants présentent une température de canal (Tch) de 175 °C et une Rth(ch-c) maximale de 0,6 °C/W (Tc = 25 °C).
Pour une meilleure prise en charge de la conception des circuits d’alimentation à découpage, Toshiba propose également un modèle Spice G0 pour une vérification rapide du fonctionnement des circuits, ainsi que des modèles Spice G2 qui reproduisent avec précision les caractéristiques transitoires.
