Toshiba améliore ses Mosfet de puissance canal N de 100 V

Exploitant le procédé de dernière génération du Japonais, les derniers Mosfet de puissance canal N de 100 V de Toshiba améliorent les performances et le rendement des alimentations à découpage dédiées aux équipements industriels grâce à un meilleur facteur de mérite.

Toshiba Electronics Europe commercialise le TPH2R70AR5, un Mosfet de puissance canal N de 100 V logé dans un boîtier compact de 5,15 x 6,1 mm et fabriqué à partir de son procédé de dernière génération U-MOS11-H. Destiné principalement aux alimentations à découpage, notamment aux convertisseurs DC-DC à haut rendement, ce composant cible des applications telles que les centres de données, les stations de base et d’autres équipements industriels haut de gamme.

© Toshiba Electronics Europe

Grâce au procédé avancé U-MOS11-H de Toshiba, le TPH2R70AR5 offre des performances nettement supérieures à celles des composants fabriqués avec le procédé U-MOSX-H existant. Par exemple, par rapport au précédent modèle référencé TPH3R10AQM, la résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) du nouveau venu a été réduite d’environ 8%, à seulement 2,7 mΩ (max.), tandis que la charge de grille (Qg) est désormais inférieure de 37%, à 52 nC (typ.). Par rapport au modèle précédent, le facteur de mérite Rds(on) x Qg du TPH2R70AR5 est ainsi amélioré de 42%.

De plus, le TPH2R70AR5 offre des performances de diode à haute vitesse grâce à une technologie de contrôle de durée de vie. En conséquence, par rapport au TPH3R10AQM, la vitesse de commutation est améliorée. De plus, le temps de récupération et le bruit de la diode sont réduits. La technologie de contrôle de durée de vie diminue également la charge de récupération inverse (Qrr) à 55 nC (typ.) et supprime les pics de tension. Le facteur de mérite Rds(on) x Qrr est ainsi amélioré d’environ 43%.

Ces caractéristiques réduisent à la fois les pertes par conduction et de commutation, contribuant ainsi à un meilleur rendement dans les applications de puissance, réduisant potentiellement les coûts d’exploitation tout en augmentant la densité de puissance.

Par ailleurs, le TPH2R70AR5 est conçu pour un courant de drain maximal (Id) de 190 A à température ambiante (25°C) et peut fonctionner avec une température de canal (Tch) allant jusqu’à 175 °C, réduisant du même coup les besoins en matière de refroidissement.