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Transistor Mosfet de puissance canal N 40 V à faible EMI

Transistor Mosfet de puissance canal N 40 V à faible EMI

Réalisé à partir du procédé U-MOSIX-H de dernière génération de Toshiba, ce transistor Mosfet de puissance canal N 40 V exploite une architecture de cellule utilisant un circuit d’amortissement qui limite le bruit et les oscillations lors de la commutation. Ce composant trouvera ainsi sa place dans le redressement synchrone au secondaire des alimentations à découpage pour en réduire les émissions électromagnétiques.

Principales caractéristiques:

• Résistance max. à l’état passant de seulement 0,74 mΩ pour une tension Vgs de 10 V

• Tension de seuil de grille comprise entre 2 V et 3 V (Id = 1 mA)

• Boîtier SOP de 5 x 6 mm

• Résistance thermique de 0,71°C/W

• Applications typiques: convertisseurs DC-DC à haut rendement, commande moteur, régulateurs de tension à découpage, etc.

Fabricant: Toshiba

Référence produit: TPHR7404PU

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