Transistors à effet de champ GaN dédiés à l’automobile | Texas Instruments
Texas Instruments étoffe son portefeuille de dispositifs de gestion de l’alimentation haute tension en y ajoutant des transistors à effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 600 V, dédiés aux applications automobiles et industrielles. Les ingénieurs pourront doubler la puissance volumique et optimiser l’efficacité de leurs chargeurs de batterie de véhicules embarqués et de leurs systèmes d’alimentation industriels.
Grâce à un pilote de grille intégré de 2,2 MHz à commutation rapide, cette nouvelle famille de transistors FET GaN aide les ingénieurs à doubler la densité de puissance de leurs systèmes, à garantir une disponibilité de 99% et à réduire de 59% la taille des composants magnétiques de puissance par rapport aux solutions existantes.
Développés à partir des matériaux en nitrure de gallium et des capacités de traitement propriétaires de TI, sur un substrat en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), ces nouveaux transistors sont plus avantageux que les solutions sur des substrats comparables (par exemple le carbure de silicium, ou SiC) en termes de coût et d’approvisionnement, estime le fabricant américain.
L’électrification métamorphose l’industrie automobile. De plus en plus de consommateurs réclament une capacité de charge plus rapide et une plus grande autonomie. Pour les ingénieurs, le défi consiste donc à concevoir des systèmes compacts, légers, sans compromis sur les performances des véhicules. Les nouveaux transistors FET en nitrure de gallium (GaN) de TI dédiés à l’automobile participent à réduire jusqu’à 50% la taille des chargeurs embarqués et des convertisseurs CC/CC des véhicules électriques par rapport aux solutions en silicium (Si) ou en carbure de silicium (SiC) existantes, permettant ainsi d’améliorer l’autonomie de la batterie, de renforcer la fiabilité des systèmes et de diminuer les coûts de conception. En matière de systèmes industriels, ces nouveaux composants garantissent une efficacité et une densité de puissance élevées sur les applications d’alimentation CA/CC, pour lesquelles il importe de limiter les pertes et la place occupée sur le circuit imprimé. Sont concernés, notamment, les plateformes numériques hyperscale ou d’entreprise, ou encore les redresseurs des réseaux de télécommunication 5G.
« Les applications industrielles et automobiles réclament de plus en plus de puissance dans un espace de plus en plus réduit, et les ingénieurs doivent proposer des systèmes de gestion de l’alimentation éprouvés, capables de fonctionner de manière fiable sur toute la durée de vie de l’équipement final – qui est longue. Grâce à ses performances étayées par plus de 40 millions d’heures de fonctionnement sur différents appareils et plus de 5 GWh de conversion de puissance dans le cadre de tests d’applications, la technologie au nitrure de gallium de TI offre la fiabilité de fonctionnement à long terme dont les ingénieurs ont besoin, quel que soit leur secteur », explique Steve Lambouses, vice-président chargé de l’alimentation haute tension chez TI.
Les quatre nouveaux transistors FET en nitrure de gallium 600 V industriels sont disponibles dès à présent en version de préproduction, exclusivement sur TI.com, dans un boîtier QFN (quad flat no-lead) de 12 x 12 mm. TI prévoit un passage en production au cours du premier trimestre 2021.
Fabricant : Texas Instruments
Référence : LMG3422R050 | LMG3425R050 | LMG3422R030 | LMG3425R030
