24 milliards de dollars pour une usine chinoise de flash NAND 3D ?!
Selon le journal taïwanais CTimes, le p-dg du groupe chinois Tsinghua Unigroup a annoncé le 30 décembre dernier en présence d’officiels du gouvernement chinois, un projet de construction d’un centre de conception et de production de mémoires flash NAND 3D de 24 milliards de dollars.
Le fonds gouvermental United National Industrial Fund for Integrated Circuits participera au financement du projet, de même que des fonds locaux. Selon le journal taïwanais, la construction de l’usine devrait être achevée en 2020 et sa production annuelle de mémoires flash NAND 3D dépasserait à terme les 10 milliards de dollars.
Bras armé de la politique industrielle de l’Etat chinois en microélectronique, Tsinghua Unigroup, dont Spreadtrum Communications et RDA Microelectronics sont les filiales, avait pris en juillet 2016 le contrôle de son compatriote XMC, responsable de la coordination du développement d’une industrie chinoise des mémoires, notamment pour la production de flash NAND.
Selon IC Insights, le marché mondial des mémoires (Drams et flash NAND) devrait progresser de 10% cette année pour représenter 85,3 milliards de dollars et pourrait atteindre près de 110 milliards de dollars en 2021 (voir notre article dans Europelectronics).
Il est toujours difficile d’accorder un crédit total à ce type d’information (annoncée cependant officiellement en Chinois avec photo sur le site de Tsinghua Unigroup), tant le groupe chinois a failli par le passé dans ses tentatives de rachats d’entreprises étrangères (Tsinghua Unigroup a notamment été contraint de renoncer au rachat de l’Américain Micron Technology, envisagé à l’été 2015, puis d’entrer au capital de Western Digital). Le gouvernement fédéral américain semble également ces derniers temps vouloir durcir sa politique industrielle pour se protéger contre les ambitions chinoises dans la microélectronique (voir article d’EETimes).
Article de CTimes
