Mouser distribue les composants GaN de Transphorm
Mouser Electronics a signé un accord de distribution mondial avec Transphorm, fabricant de transistors en nitrure de gallium (GaN) pour applications de conversion de tension. Selon cet accord, Mouser distribuera les gammes de transistors FET GaN qualifiés JEDEC et AEC-Q101 de Transphorm et les outils d’évaluation associés.
Transphorm conçoit et fabrique des semiconducteurs GaN 650 V et 900 V à hautes performances et haute fiabilité pour les applications de conversion d’énergie haute tension. Détenant le plus grand portefeuille de propriété intellectuelle (plus de 1 000 brevets émis et en attente dans le monde), Transphorm a produit les premiers FET GaN du secteur qualifiés JEDEC et AEC-Q101. En particulier, les systèmes d’alimentation embarqués utilisant des FET GaN 650 V peuvent gagner jusqu’à 40% de densité de puissance en plus tout en réduisant les coûts généraux du système jusqu’à 20% par rapport à des solutions similaires à base de silicium, selon l’entreprise.
« Nous sommes ravis d’ajouter Transphorm à notre offre de composants d’alimentation. Les transistors et les plateformes d’évaluation GaN hautes performances de Transphorm pourront profiter grandement aux concepteurs et aux fabricants développant des applications de conversion d’énergie haute tension, dans divers marchés verticaux », a déclaré Kristin Schuetter, vice-présidente de la gestion des fournisseurs chez Mouser.
