Nexperia fait son entrée sur le marché des diodes Schottky en SiC
L’ex-division « Standard Products » de NXP complète sa gamme de composants à base de semiconducteurs à grand gap, qui comprend déjà des FET en GaN, en commercialisant ses premiers composants en carbure de silicium, en l’occurrence des diodes Schottky.
Nexperia, ancienne division « Standard Products » de NXP basée aux Pays-Bas mais battant pavillon chinois depuis 2017, est spécialisée dans les diodes, les transistors bipolaires, les dispositifs de protection ESD, les Mosfet, les Fet et les circuits intégrés analogiques et logiques.
Désireuse d’enrichir son offre en composants à base de semiconducteurs à grand gap, qui ne comprenait jusqu’ici que des Fet en nitrure de gallium (GaN), la société a décidé de faire son entrée sur le marché des composants en carbure de silicium (SiC) avec le lancement d’une gamme de diodes Schottky 650 V, 10 A de qualité industrielle et à haut rendement destinées aux applications de conversion d’énergie.
Disponibles en boîtiers à 2 broches (R2P) en versions CMS (DPAK, D2PAK) ou traversantes (TO-220-2, TO-247-2), ces diodes Schottky référencées PSC1065H (-J/-K/-L) sont d’ores et déjà échantillonnées, avec une production de volume prévue pour le deuxième trimestre 2022.
Nexperia compte étoffer progressivement son portefeuille de diodes SiC avec le lancement programmé de 72 produits fonctionnant à des niveaux de tension de 650 V et 1200 V et avec des courants de 6, 8 10, 16 ou 20 A.
Ces composants devraient trouver leur place dans les alimentations à découpage, les convertisseurs AC/DC et DC/DC, les infrastructures de recharge de batterie, les onduleurs photovoltaïques, etc. La société prévoit également des versions qualifiées AEC-Q101 pour l’automobile, en particulier dans les chargeurs embarqués (OBC), les onduleurs et les convertisseurs DC-DC haute tension utilisés dans les véhicules électrifiés.
