Infineon investit 2 milliards pour produire des circuits de puissance SiC et GaN en Malaisie
Infineon Technologies annonce un investissement de plus de 2 milliards d’euros pour construire un troisième module de production sur son site de Kulim, en Malaisie, afin d’y fabriquer des semiconducteurs de puissance en technologies SiC et GaN. Une fois entièrement équipé, le nouveau module pourrait générer 2 milliards d’euros de revenus annuels supplémentaires avec des produits à base de carbure de silicium et de nitrure de gallium.
Cette expansion bénéficiera des économies d’échelle déjà réalisées à Kulim pour la fabrication sur tranches de 200 mm de diamètre. Elle complétera la stratégie d’Infineon dans le silicium, basée sur la fabrication sur tranches de 300 millimètres à Villach en Autriche et à Dresde en Allemagne.
« Les énergies renouvelables et l’électromobilité sont les principaux moteurs d’une augmentation forte et durable de la demande de semiconducteurs de puissance. L’expansion de notre capacité SiC et GaN prépare Infineon à l’accélération des marchés à large bande interdite. Nous créons une combinaison gagnante de notre centre de compétences de développement à Villach et d’une production rentable à Kulim pour les semiconducteurs de puissance à large bande interdite », a déclaré Jochen Hanebeck, directeur des opérations chez Infineon et futur p-dg du groupe allemand.
Infineon fournit déjà des produits à base de SiC à plus de 3000 clients aujourd’hui. Utilisés dans une variété d’applications, ces semiconducteurs offrent une valeur ajoutée au client en raison de meilleures performances du système en termes d’efficacité, de taille et de coût par rapport aux solutions à base de silicium. Les applications ciblées sont l’alimentation électrique industrielle, le photovoltaïque, le transport, les entraînements, l’automobile et la recharge des véhicules électriques. Infineon vise des revenus de 1 milliard de dollars avec des semiconducteurs de puissance à base de SiC d’ici le milieu de la décennie.
Le marché du GaN devrait également connaître une croissance massive, passant de 47 millions de dollars en 2020 à 801 millions de dollars en 2025, soit un taux de croissance annuel moyen de 76%, selon une étude de Yole Développement. Dans ce domaine, Infineon déclare disposer d’une compréhension fine des systèmes et des applications, d’un large portefeuille de blocs d’IP GaN et d’une importante force de R&D.
Une fois entièrement équipée, le troisième module de fabrication à Kulim emploiera 900 personnes. La construction débutera en juin 2022 et la fab sera prête à être équipée à l’été 2024. Les premières tranches sortiront de la fab au second semestre 2024.
Parallèlement, le site autrichien de Villach continuera à servir de base d’innovation et de centre de compétence mondial pour les technologies de semiconducteurs SiC et GaN en convertissant les installations existantes de production de circuits à base de silicium au cours des prochaines années. Les lignes silicium sur tranches de 150 mm et 200 mm seront ainsi converties à la fabrication de SiC et de GaN.
Rutger Wijburg nommé COO d’Infineon
Parallèlement, Infineon annonce que Rutger Wijburg rejoindra le conseil d’administration d’Infineon Technologies en tant que nouveau directeur des opérations (COO), à compter du 1er avril 2022. Il remplacera Jochen Hanebeck, qui succèdera à Reinhard Ploss en tant que CEO du groupe allemand.
Rutger Wijburg a rejoint Infineon en 2018. En tant que directeur général d’Infineon Dresden, il était responsable de la montée en puissance de la production automatisée sur tranche de 300 mm. Après avoir pris la tête des activités de front-end du groupe au début de 2021, il s’est concentré sur l’expansion des capacités de production de semiconducteurs à large bande interdite et a joué un rôle déterminant dans l’établissement du concept du cluster 300 mm « One Virtual Fab ». Il a plus de 30 ans d’expérience internationale dans l’industrie des semiconducteurs.
