onsemi revendique sa place dans l’élite des fabricants de composants SiC

La société a profité du CES de Las Vegas pour dévoiler EliteSiC, une gamme de Mosfet et de diodes Schottky 1700 V à haut rendement dédiés aux infrastructures énergétiques et aux systèmes d’entraînement industriels.

onsemi entend se faire une place de choix sur le créneau des semiconducteurs à grand gap avec le lancement d’une famille de Mosfet et de diodes Schottky 1700 V en technologie SiC (carbure de silicium). Présentée au CES de Las Vegas et baptisée EliteSiC, cette gamme de composants SiC cible les applications d’infrastructure énergétique et les systèmes d’entraînement industriels qui nécessitent des tensions toujours plus élevées, associées à un haut niveau de performances, en particulier en termes de rendement et de fréquence de commutation.

Des composants SiC capables de supporter des tensions jusqu’à 1700 V permettent, par exemple, de supporter avec une marge suffisante les augmentations de tension de 1100 V à 1500 V constatées dans le domaine du solaire, et d’obtenir un fonctionnement haute tension stable à des températures élevées tout en offrant un rendement élevé grâce au SiC. Le Mosfet EliteSiC 1700 V que vient de lancer onsemi sous la référence NTH4L028N170M1 offre une plage Vgs maximale de -15 V/25 V, ce qui le rend adapté aux applications de commutation rapide où les tensions de grille augmentent jusqu’à -10 V, offrant ainsi une fiabilité accrue au système.

Dans des conditions de test de 1200 V à 40 A, le Mosfet EliteSiC 1700 V présente une charge de grille (Qg) de 200 nC, largement inférieure à celle des dispositifs concurrents équivalents qui frôle les 300 nC, selon onsemi. Un faible Qg est essentiel pour obtenir un rendement élevé dans les applications à commutation rapide et haute puissance, telles que les énergies renouvelables.

Référencées NDSH25170A et NDSH10170A, les deux diodes Schottky à avalanche de 1700 V de la gamme EliteSiC dévoilées par onsemi, offrent également des performances intéressantes, notamment en termes de pertes, avec un courant inverse maximum de seulement 40 µA à 25 °C (100 µA à 175 °C), là où des valeurs de 100 µA à 25 °C sont usuelles, selon le fabricant.

“En offrant le meilleur rendement de leur catégorie, les composants EliteSiC 1700 V constituent une référence en matière de qualité et de performances, avance Simon Keeton, vice-président exécutif et directeur général de la division Power Solutions de onsemi. Et avec ses capacités de fabrication de SiC de bout en bout, onsemi offre l’assurance d’un approvisionnement sûr pour répondre aux besoins des infrastructures énergétiques et industrielles. »